ホーム > 特許ランキング > マイクロン テクノロジー, インク. > 2021年 > 特許一覧
※ ログインすれば出願人(マイクロン テクノロジー, インク.)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件
(2020年:第462位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
(2020年:第565位 40件)
(ランキング更新日:2025年4月11日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6934048 | メモリセル内で負のボディ電位を確立することを含む装置および方法 | 2021年 9月 8日 | |
特許 6929298 | セクションの独立による複数のメモリセクション内での並列アクセス技術 | 2021年 9月 1日 | |
特許 6929906 | メモリ装置におけるプログラム禁止 | 2021年 9月 1日 | |
特許 6921120 | 複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法 | 2021年 8月18日 | |
特許 6921260 | 複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法 | 2021年 8月18日 | |
特許 6917526 | メモリ検知のための電流分離 | 2021年 8月11日 | |
特許 6918805 | 不揮発性メモリの複数区画の同時アクセスのための装置及び方法 | 2021年 8月11日 | |
特許 6912609 | 抵抗を有するメモリセル及び抵抗を有するメモリセルの形成 | 2021年 8月 4日 | |
特許 6913109 | メモリセルプレート間の電荷共有 | 2021年 8月 4日 | |
特許 6913763 | 自己選択メモリにおけるプログラミング改良 | 2021年 8月 4日 | |
特許 6908639 | 磁気トンネル接合 | 2021年 7月28日 | |
特許 6908789 | マルチレベルアドレッシング | 2021年 7月28日 | |
特許 6905067 | メモリダイ領域の有効利用 | 2021年 7月21日 | |
特許 6895018 | 入力データと格納データの比較 | 2021年 6月30日 | |
特許 6894044 | 仮想ページ・サイズを有するメモリ | 2021年 6月23日 |
85 件中 31-45 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
6934048 6929298 6929906 6921120 6921260 6917526 6918805 6912609 6913109 6913763 6908639 6908789 6905067 6895018 6894044
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。マイクロン テクノロジー, インク.の知財の動向チェックに便利です。
4月14日(月) -
4月14日(月) -
4月14日(月) -
4月15日(火) -
4月15日(火) - 大阪 大阪市
4月15日(火) -
4月16日(水) - 東京 大田
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月17日(木) - 東京 大田
4月17日(木) -
4月17日(木) -
4月18日(金) -
4月18日(金) -
4月18日(金) - 北海道 千代田区
4月14日(月) -