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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件
(2020年:第462位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
(2020年:第565位 40件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6934048 | メモリセル内で負のボディ電位を確立することを含む装置および方法 | 2021年 9月 8日 | |
特許 6929298 | セクションの独立による複数のメモリセクション内での並列アクセス技術 | 2021年 9月 1日 | |
特許 6929906 | メモリ装置におけるプログラム禁止 | 2021年 9月 1日 | |
特許 6921120 | 複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法 | 2021年 8月18日 | |
特許 6921260 | 複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法 | 2021年 8月18日 | |
特許 6917526 | メモリ検知のための電流分離 | 2021年 8月11日 | |
特許 6918805 | 不揮発性メモリの複数区画の同時アクセスのための装置及び方法 | 2021年 8月11日 | |
特許 6912609 | 抵抗を有するメモリセル及び抵抗を有するメモリセルの形成 | 2021年 8月 4日 | |
特許 6913109 | メモリセルプレート間の電荷共有 | 2021年 8月 4日 | |
特許 6913763 | 自己選択メモリにおけるプログラミング改良 | 2021年 8月 4日 | |
特許 6908639 | 磁気トンネル接合 | 2021年 7月28日 | |
特許 6908789 | マルチレベルアドレッシング | 2021年 7月28日 | |
特許 6905067 | メモリダイ領域の有効利用 | 2021年 7月21日 | |
特許 6895018 | 入力データと格納データの比較 | 2021年 6月30日 | |
特許 6894044 | 仮想ページ・サイズを有するメモリ | 2021年 6月23日 |
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6934048 6929298 6929906 6921120 6921260 6917526 6918805 6912609 6913109 6913763 6908639 6908789 6905067 6895018 6894044
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