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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件 (2020年:第462位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件 (2020年:第565位 40件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6894052 | 結合容量を用いた自己参照センシング・スキーム | 2021年 6月23日 | |
特許 6889814 | 複数の半導体デバイスモジュール内の熱を消散するための装置及び方法 | 2021年 6月18日 | |
特許 6890131 | ソリッドステート装置のための多重アドレスレジスタ用の装置および方法 | 2021年 6月18日 | |
特許 6890189 | メモリ・セルの高さ方向に延びるストリングのアレイ、およびメモリ・アレイを形成する方法 | 2021年 6月18日 | |
特許 6886501 | メモリを動作させる方法 | 2021年 6月16日 | |
特許 6887509 | アレイのメモリセルのプリライト | 2021年 6月16日 | |
特許 6887557 | 可変フィルタ・キャパシタンス | 2021年 6月16日 | |
特許 6887564 | メモリの検知動作 | 2021年 6月16日 | |
特許 6887565 | 電力喪失への応答 | 2021年 6月16日 | |
特許 6884158 | 強誘電体メモリセルからの電荷抽出 | 2021年 6月 9日 | |
特許 6884218 | NANDメモリ・アレイおよびNANDメモリ・アレイを形成する方法 | 2021年 6月 9日 | |
特許 6884232 | メモリ・セルの時間ベースのアクセス | 2021年 6月 9日 | |
特許 6884791 | パッケージングされた半導体ダイの内部熱拡散のための装置 | 2021年 6月 9日 | |
特許 6883038 | 強誘電体キャパシタ、強誘電体電界効果トランジスタ、並びに導電材料及び強誘電体材料を含む電子部品の形成に用いられる方法 | 2021年 6月 2日 | |
特許 6875422 | モールド経由の冷却チャネルを有する半導体デバイスアセンブリ | 2021年 5月26日 |
85 件中 46-60 件を表示
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6894052 6889814 6890131 6890189 6886501 6887509 6887557 6887564 6887565 6884158 6884218 6884232 6884791 6883038 6875422
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11月22日(金) -
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11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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