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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件
(2020年:第462位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
(2020年:第565位 40件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6872621 | メモリセル、集積構造およびメモリアレイ | 2021年 5月19日 | |
特許 6872653 | クロスポイント不揮発性メモリに対する書き込み | 2021年 5月19日 | |
特許 6869445 | メモリセルを検知するための装置及び方法 | 2021年 5月12日 | |
特許 6869885 | メモリの異なるメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法 | 2021年 5月12日 | |
特許 6865498 | メモリ・パッケージの下にコントローラを備えたメモリ・デバイス、ならびに関連するシステムおよび方法 | 2021年 4月28日 | |
特許 6865506 | 組み込みリフレッシュによるドリフト低減 | 2021年 4月28日 | |
特許 6860750 | メモリ媒体の劣化を検出および軽減するための方法、ならびにそれを採用するメモリ・デバイス | 2021年 4月21日 | |
特許 6859443 | メモリ・アレイおよびメモリ・アレイを形成する方法 | 2021年 4月14日 | |
特許 6859491 | 極性調整メモリ・セル書き込み操作 | 2021年 4月14日 | |
特許 6855409 | 仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法 | 2021年 4月 7日 | |
特許 6853611 | 複数のメモリ動作を実施するための装置および方法 | 2021年 3月31日 | |
特許 6847201 | マルチデッキメモリデバイス及び操作 | 2021年 3月24日 | |
特許 6844823 | 強誘電体メモリセルのセンシングのためのオフセット補償 | 2021年 3月17日 | |
特許 6844893 | 強誘電体メモリ・セル検知 | 2021年 3月17日 | |
特許 6844909 | メモリの実質的含意演算 | 2021年 3月17日 |
85 件中 61-75 件を表示
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6872621 6872653 6869445 6869885 6865498 6865506 6860750 6859443 6859491 6855409 6853611 6847201 6844823 6844893 6844909
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10月17日(金) - 東京 千代田区
10月17日(金) - 神奈川 川崎市
10月17日(金) -
10月17日(金) - 東京 千代田区
10月20日(月) -
10月21日(火) -
10月21日(火) - 東京 港区
10月21日(火) - 東京 港区
10月21日(火) -
10月21日(火) - 大阪 大阪市
10月21日(火) -
10月22日(水) - 東京 港区
10月22日(水) - 東京 品川
ビジネスの実務で役立つ技術契約の基礎知識と実例 ~秘密保持契約、共同研究開発、共同出願契約、製造委託契約、特許ライセンス契約~
10月22日(水) - 栃木 宇都宮市
10月23日(木) - 東京 港区
10月23日(木) -
10月24日(金) -
10月24日(金) -
10月24日(金) -
10月24日(金) - 東京 千代田区
10月24日(金) -
10月24日(金) -
10月24日(金) -
10月20日(月) -
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