ホーム > 特許ランキング > マイクロン テクノロジー, インク. > 2021年 > 特許一覧
※ ログインすれば出願人(マイクロン テクノロジー, インク.)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件
(2020年:第462位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
(2020年:第565位 40件)
(ランキング更新日:2025年6月27日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6845443 | 導電性ラインを含むデバイスを形成する方法 | 2021年 3月17日 | |
特許 6832326 | 磁気トンネル接合の磁気電極を形成する方法および磁気トンネル接合を形成する方法 | 2021年 2月24日 | |
特許 6835985 | メモリアレイのためのプレートノードの構成及び動作 | 2021年 2月24日 | |
特許 6827555 | 強誘電体メモリに対する自己参照 | 2021年 2月10日 | |
特許 6827567 | メモリセルの時間ベースのアクセス | 2021年 2月10日 | |
特許 6820953 | 強誘電体メモリの中のマルチレベルストレージ | 2021年 1月27日 | |
特許 6815953 | 階段ステップ構造を含む半導体デバイス構造を形成する方法 | 2021年 1月20日 | |
特許 6812060 | メモリ装置の低電力状態の終了のための装置及び方法 | 2021年 1月13日 | |
特許 6812061 | メモリ・デバイス内でのラッチングのためのオフセット・キャンセル | 2021年 1月13日 | |
特許 6812488 | 半導体構造を形成する方法 | 2021年 1月13日 |
85 件中 76-85 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
6845443 6832326 6835985 6827555 6827567 6820953 6815953 6812060 6812061 6812488
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。マイクロン テクノロジー, インク.の知財の動向チェックに便利です。
7月1日(火) -
7月2日(水) -
7月2日(水) -
7月3日(木) -
7月3日(木) -
7月1日(火) -
京都市東山区泉涌寺門前町26番地 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒951-8152 新潟県新潟市中央区信濃町21番7号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都品川区東品川2丁目2番24号 天王洲セントラルタワー 22階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング