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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第1299位 22件
(2016年:第944位 30件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第1441位 13件
(2016年:第2650位 6件)
(ランキング更新日:2025年4月4日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6250635
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電極調整アセンブリ及び電極を調整する方法 | 2017年12月20日 | |
特許 6242820
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溶融体から水平リボンを成長させ、溶融体からの第1材料のリボンを形成する方法 | 2017年12月 6日 | |
特許 6243916
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シャッターアセンブリを有するイオン源及びそれを備えるイオン注入装置 | 2017年12月 6日 | |
特許 6234431
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基板処理用のイオン注入システム及び基板処理方法 | 2017年11月22日 | |
特許 6236434
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複数注入のために基板を位置合わせするための装置および方法 | 2017年11月22日 | |
特許 6194320
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電池用電極の処理方法 | 2017年 9月 6日 | |
特許 6190818
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超伝導部材を保護するための技術 | 2017年 8月30日 | |
特許 6186541
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タンデム加速器及びイオン注入システム | 2017年 8月23日 | |
特許 6165241
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ガリウムイオンを有するイオンビームを発生する方法及び装置 | 2017年 7月19日 | |
特許 6139520
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磁気的閉じ込め及びファラデーシールド付き誘導結合型プラズマシステム並びに磁気的閉じ込め及びファラデーシールドを提供する方法 | 2017年 5月31日 | |
特許 6122900
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フローティングシートの製造装置及び方法 | 2017年 4月26日 | |
特許 6101266
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三次元イオン処理装置及び方法 | 2017年 3月22日 | |
特許 6091490
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レジスト形状におけるクリティカルディメンション及びラフネスの制御方法及び制御システム | 2017年 3月 8日 |
13 件中 1-13 件を表示
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6250635 6242820 6243916 6234431 6236434 6194320 6190818 6186541 6165241 6139520 6122900 6101266 6091490
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4月9日(水) -
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4月10日(木) - 東京 港区赤坂3-9-1 紀陽ビル4階
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4月11日(金) -
4月14日(月) -
4月14日(月) -
4月14日(月) -
4月15日(火) -
4月15日(火) - 大阪 大阪市
4月15日(火) -
4月16日(水) - 東京 大田
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月17日(木) - 東京 大田
4月17日(木) -
4月17日(木) -
4月18日(金) -
4月18日(金) -
4月18日(金) - 北海道 千代田区
4月14日(月) -