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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第512位 61件
(2022年:第793位 34件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第1002位 22件
(2022年:第1019位 22件)
(ランキング更新日:2025年2月14日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特表 2023-546727 | 少なくとも部分的に埋め込まれたフィールド・プレートを有する電界効果トランジスタ | 2023年11月 7日 | |
特開 2023-159060 | 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 | 2023年10月31日 | |
特開 2023-159434 | RF増幅器デバイスおよび製造方法 | 2023年10月31日 | |
特表 2023-544138 | 統合信号ボードを備えたエレベーテッドパワープレーンを有するパワーモジュール及びその実装プロセス | 2023年10月20日 | |
特開 2023-139058 | 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 | 2023年10月 3日 | |
特開 2023-139218 | イオン注入チャネリング技術により形成される超接合パワーシリコンカーバイド半導体デバイス及び関連方法 | 2023年10月 3日 | |
特開 2023-134790 | パワーエレクトロニクス用のパッケージ | 2023年 9月27日 | |
特開 2023-134793 | 緩和された正の湾曲を有する炭化ケイ素ウェーハを処理するための方法 | 2023年 9月27日 | |
特表 2023-540961 | トレンチ付き半導体デバイス構造用のトレンチ下部シールド方法及びアプローチ | 2023年 9月27日 | |
特表 2023-541020 | RFトランジスタ増幅器パッケージ | 2023年 9月27日 | |
特表 2023-539577 | 短絡耐量を向上させたパワー炭化ケイ素ベースの半導体デバイス及びそのようなデバイスを作製する方法 | 2023年 9月15日 | |
特開 2023-115346 | リフローされた金属間誘電体層を有するパワー半導体デバイス | 2023年 8月18日 | |
特表 2023-535019 | 改善された耐久性を有する縦型SIC半導体デバイス | 2023年 8月15日 | |
特表 2023-533450 | エッチ停止/電界制御層を含む多層ゲート誘電体層を有するパワー半導体デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法 | 2023年 8月 3日 | |
特表 2023-532868 | 無線周波数トランジスタ増幅器パッケージ | 2023年 8月 1日 |
61 件中 16-30 件を表示
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2023-546727 2023-159060 2023-159434 2023-544138 2023-139058 2023-139218 2023-134790 2023-134793 2023-540961 2023-541020 2023-539577 2023-115346 2023-535019 2023-533450 2023-532868
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パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
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