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クリー インコーポレイテッド

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  2023年 出願公開件数ランキング    第512位 61件 上昇2022年:第793位 34件)

  2023年 特許取得件数ランキング    第1002位 22件 上昇2022年:第1019位 22件)

(ランキング更新日:2025年2月14日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2023-546727 少なくとも部分的に埋め込まれたフィールド・プレートを有する電界効果トランジスタ 2023年11月 7日
特開 2023-159060 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 2023年10月31日
特開 2023-159434 RF増幅器デバイスおよび製造方法 2023年10月31日
特表 2023-544138 統合信号ボードを備えたエレベーテッドパワープレーンを有するパワーモジュール及びその実装プロセス 2023年10月20日
特開 2023-139058 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 2023年10月 3日
特開 2023-139218 イオン注入チャネリング技術により形成される超接合パワーシリコンカーバイド半導体デバイス及び関連方法 2023年10月 3日
特開 2023-134790 パワーエレクトロニクス用のパッケージ 2023年 9月27日
特開 2023-134793 緩和された正の湾曲を有する炭化ケイ素ウェーハを処理するための方法 2023年 9月27日
特表 2023-540961 トレンチ付き半導体デバイス構造用のトレンチ下部シールド方法及びアプローチ 2023年 9月27日
特表 2023-541020 RFトランジスタ増幅器パッケージ 2023年 9月27日
特表 2023-539577 短絡耐量を向上させたパワー炭化ケイ素ベースの半導体デバイス及びそのようなデバイスを作製する方法 2023年 9月15日
特開 2023-115346 リフローされた金属間誘電体層を有するパワー半導体デバイス 2023年 8月18日
特表 2023-535019 改善された耐久性を有する縦型SIC半導体デバイス 2023年 8月15日
特表 2023-533450 エッチ停止/電界制御層を含む多層ゲート誘電体層を有するパワー半導体デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法 2023年 8月 3日
特表 2023-532868 無線周波数トランジスタ増幅器パッケージ 2023年 8月 1日

61 件中 16-30 件を表示

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2023-546727 2023-159060 2023-159434 2023-544138 2023-139058 2023-139218 2023-134790 2023-134793 2023-540961 2023-541020 2023-539577 2023-115346 2023-535019 2023-533450 2023-532868

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