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クリー　インコーポレイテッド

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クリー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2023-520028	ソース、ゲート及び／又はドレイン導電性ビアを有するＩＩＩ族窒化物ベースの高周波トランジスタ増幅器	2023年 5月15日
特表 2023-520029	裏面ソース端子、ゲート端子及び／又はドレイン端子を有するＩＩＩ族窒化物ベースの高周波増幅器	2023年 5月15日
特表 2023-520030	ゲート及び／又はドレイン上に炭化ケイ素貫通ビアを有するトランジスタ・ダイを使用する積層ＲＦ回路トポロジ	2023年 5月15日
特表 2023-520031	ＲＦ増幅器デバイスおよび製造方法	2023年 5月15日
特表 2023-519739	受動素子を含む多層の無線周波数（ＲＦ）集積回路素子	2023年 5月12日
特開 2023-60151	エンハンスメント・モード及びデプレッション・モード・トランジスタの両者を有するモノリシック・マイクロ波集積回路	2023年 4月27日
特表 2023-514838	配線用に構成されたデバイスキャリア、配線を有するデバイスキャリアを実装するパッケージ、およびその製作方法	2023年 4月11日
特表 2023-512525	炭化ケイ素結晶材料の転位分布	2023年 3月27日
特開 2023-41688	埋込みｐ型層を有する第ＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタおよびその作製プロセス	2023年 3月24日
特表 2023-511860	構造フィーチャを共有する第ＩＩＩ族のＨＥＭＴおよびコンデンサ	2023年 3月23日
特開 2023-29342	低インダクタンスおよび高速スイッチングを有する、パワーデバイスを並列化するための高電力多層モジュール	2023年 3月 3日
特開 2023-29379	シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ－型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ	2023年 3月 3日
特表 2023-508691	大口径炭化ケイ素ウェハ	2023年 3月 3日
特表 2023-503882	改善されたサーマルバジェットを有する半導体および改善されたサーマルバジェットを有する半導体を作製するプロセス	2023年 2月 1日
特開 2023-11745	高電圧電力モジュール	2023年 1月24日

61 件中 46-60 件を表示

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2023-520028 2023-520029 2023-520030 2023-520031 2023-519739 2023-60151 2023-514838 2023-512525 2023-41688 2023-511860 2023-29342 2023-29379 2023-508691 2023-503882 2023-11745

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