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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第128位 337件
(2015年:第115位 399件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第90位 356件
(2015年:第74位 358件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6040489 | シート状複合体、その製造方法、このシート状複合体を用いた電極及び電気化学素子 | 2016年12月 7日 | |
特許 6040507 | 高純度メタンの製造方法及び製造装置 | 2016年12月 7日 | |
特許 6041145 | 酸化物ドットパターンの作製方法 | 2016年12月 7日 | |
特許 6041154 | 並列反応方法およびスクリーニング方法 | 2016年12月 7日 | |
特許 6041262 | 半導体モジュール | 2016年12月 7日 | |
特許 6041265 | 発光ダイオード | 2016年12月 7日 | |
特許 6041269 | 非水系水素イオン導電性電解質層を介設した反射型調光エレクトロクロミック素子及びそれを用いた調光部材 | 2016年12月 7日 | |
特許 6041280 | 磁選機用マトリックス及び磁選機 | 2016年12月 7日 | |
特許 6041281 | 電界効果トランジスタ | 2016年12月 7日 | |
特許 6041292 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | 2016年12月 7日 | |
特許 6041301 | 半導体ウエハの加工装置 | 2016年12月 7日 | |
特許 6041311 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | 2016年12月 7日 | |
特許 6041347 | 定点るつぼ及び定点黒体炉 | 2016年12月 7日 | |
特許 6032403 | フォトクロミック材料の製造方法、および、フォトクロミック材料の吸収スペクトルを可逆的に変化させる方法 | 2016年11月30日 | |
特許 6032446 | 低反射グラフェン、光学部材用低反射グラフェン | 2016年11月30日 |
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6040489 6040507 6041145 6041154 6041262 6041265 6041269 6041280 6041281 6041292 6041301 6041311 6041347 6032403 6032446
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