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キヤノンアネルバ株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第347位 119件
（
2011年：第260位 156件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第926位 32件
（2011年：第403位 82件）
（ランキング更新日：2025年2月27日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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キヤノンアネルバ株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4918147 | エッチング方法 | 2012年 4月18日 | 共同出願 |
| 特許 4914573 | 高誘電体ゲート絶縁膜及び金属ゲート電極を有する電界効果トランジスタの製造方法 | 2012年 4月11日 | |
| 特許 4914902 | シリサイド形成方法とその装置 | 2012年 4月11日 | |
| 特許 4908556 | 磁気抵抗素子の製造方法 | 2012年 4月 4日 | |
| 特許 4902686 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | 2012年 3月21日 | 共同出願 |
| 特許 4902054 | スパッタリング装置 | 2012年 3月21日 | |
| 特許 4902052 | スパッタリング装置 | 2012年 3月21日 | |
| 特許 4902051 | バイアススパッタリング装置 | 2012年 3月21日 | |
| 特許 4901696 | 成膜装置 | 2012年 3月21日 | |
| 特許 4896164 | プラズマ処理装置 | 2012年 3月14日 | |
| 特許 4891354 | 磁気抵抗デバイスの製造方法及び製造装置 | 2012年 3月 7日 | |
| 特許 4871339 | スパッタリング方法 | 2012年 2月 8日 | |
| 特許 4871433 | 半導体装置およびその製造方法 | 2012年 2月 8日 | |
| 特許 4856308 | 基板処理装置及び経由チャンバー | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4852261 | シリコン化合物の形成方法 | 2012年 1月11日 |
32 件中 16-30 件を表示
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4918147 4914573 4914902 4908556 4902686 4902054 4902052 4902051 4901696 4896164 4891354 4871339 4871433 4856308 4852261
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