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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第62位 621件
(2010年:第57位 692件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第41位 739件
(2010年:第39位 580件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-44553 | 加熱処理装置及び熱処理装置 | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-44521 | レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-44664 | 塗布現像装置及び塗布現像方法 | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-44663 | 加熱処理装置 | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-44662 | 加熱処理装置 | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-44597 | 液処理システム | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-44567 | プラズマエッチング処理装置とプラズマエッチング処理方法 | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-44566 | プラズマ処理装置とプラズマ処理方法 | 2011年 3月 3日 | |
特表 2011-507274 | プラズマエッチングシステム用の炭化珪素焦点リング | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-40457 | 半導体装置及びその製造方法 | 2011年 2月24日 | 共同出願 |
特開 2011-40636 | ガスポート構造及び処理装置 | 2011年 2月24日 | |
特開 2011-40574 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | 2011年 2月24日 | |
再表 2009-50808 | クリーンルームのダミーグレーチング | 2011年 2月24日 | |
特開 2011-38906 | 検査装置の操作方法及び検査装置の操作プログラム | 2011年 2月24日 | |
特開 2011-40757 | 六フッ化硫黄(SF6)および炭化水素ガスを用いた反射防止層のパターニング方法 | 2011年 2月24日 |
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2011-44553 2011-44521 2011-44664 2011-44663 2011-44662 2011-44597 2011-44567 2011-44566 2011-507274 2011-40457 2011-40636 2011-40574 2009-50808 2011-38906 2011-40757
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2月25日(火) -
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2月26日(水) -
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2月26日(水) -
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2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
3月4日(火) - 東京 港区
3月4日(火) -
3月4日(火) -
3月4日(火) -
3月5日(水) -
3月5日(水) -
3月6日(木) -
3月6日(木) - 東京 品川区
3月6日(木) - 東京 港区
3月6日(木) -
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3月7日(金) - 東京 港区
3月7日(金) -
3月7日(金) -
3月4日(火) - 東京 港区
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