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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5591565 | 温度測定用プローブ、温度測定システム及びこれを用いた温度測定方法 | 2014年 9月17日 | |
特許 5589878 | 成膜装置 | 2014年 9月17日 | |
特許 5590731 | 酸化表面層のハイブリッドその場ドライクリーニングプロセス | 2014年 9月17日 | |
特許 5589843 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プラズマ処理装置のクリーニング方法およびプラズマ処理装置用圧力調整バルブ | 2014年 9月17日 | |
特許 5592098 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | 2014年 9月17日 | |
特許 5589873 | 気化装置及び成膜装置 | 2014年 9月17日 | |
特許 5591573 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | 2014年 9月17日 | |
特許 5588469 | 基板処理装置 | 2014年 9月10日 | |
特許 5585238 | 基板処理装置 | 2014年 9月10日 | |
特許 5588856 | カーボン膜上への酸化物膜の成膜方法及び成膜装置 | 2014年 9月10日 | |
特許 5588418 | 基板処理装置及び基板処理方法 | 2014年 9月10日 | |
特許 5586734 | 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 | 2014年 9月10日 | |
特許 5583716 | レジストの光学特性を変化させる方法及び装置 | 2014年 9月 3日 | |
特許 5584653 | 基板処理装置及び基板処理方法 | 2014年 9月 3日 | |
特許 5584517 | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 | 2014年 9月 3日 |
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5591565 5589878 5590731 5589843 5592098 5589873 5591573 5588469 5585238 5588856 5588418 5586734 5583716 5584653 5584517
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