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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5066502 | プラズマ処理装置 | 2012年11月 7日 | |
特許 5069982 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | 2012年11月 7日 | |
特許 5069114 | モデルフィードバックアップデートを用いた分離/入れ子形カスケーディングトリム制御 | 2012年11月 7日 | |
特許 5068801 | 基板処理方法および基板処理装置 | 2012年11月 7日 | |
特許 5066336 | 高圧処理装置及び高圧処理方法 | 2012年11月 7日 | 共同出願 |
特許 5068713 | タングステン膜の形成方法 | 2012年11月 7日 | |
特許 5067068 | 半導体装置の製造方法及び記憶媒体 | 2012年11月 7日 | |
特許 5067279 | 処理装置 | 2012年11月 7日 | |
特許 5065787 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および記憶媒体 | 2012年11月 7日 | |
特許 5067381 | 熱処理装置の運転方法 | 2012年11月 7日 | |
特許 5068471 | 基板処理装置 | 2012年11月 7日 | |
特許 5067432 | 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 | 2012年11月 7日 | |
特許 5068178 | ヘキサクロロジシラン又はその他の塩素含有シリコン前駆体を用いた微小造形物充填方法及び装置 | 2012年11月 7日 | |
特許 5063817 | 基板処理装置 | 2012年10月31日 | |
特許 5060412 | 異物検出方法、異物検出装置、異物検出システム及び記憶媒体 | 2012年10月31日 |
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5066502 5069982 5069114 5068801 5066336 5068713 5067068 5067279 5065787 5067381 5068471 5067432 5068178 5063817 5060412
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