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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第53位 714件
(2011年:第62位 621件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第37位 902件
(2011年:第41位 739件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5106122 | 誘電体膜の処理のための方法 | 2012年12月26日 | |
特許 5107318 | 加熱処理装置 | 2012年12月26日 | |
特許 5111030 | 基板処理システムに用いられる耐浸食性絶縁層を有する温度制御された基板ホルダ | 2012年12月26日 | |
特許 5106278 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法、ならびに記憶媒体 | 2012年12月26日 | |
特許 5106424 | シリコンに対する誘電材料の選択エッチング方法及びシステム | 2012年12月26日 | |
特許 5105399 | データ収集方法,基板処理装置,基板処理システム | 2012年12月26日 | |
特許 5106331 | 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム | 2012年12月26日 | |
特許 5107597 | プラズマ処理装置 | 2012年12月26日 | |
特許 5108557 | ロードロック装置および基板冷却方法 | 2012年12月26日 | |
特許 5107032 | チャンバクリーニング処理を制御するための方法 | 2012年12月26日 | 共同出願 |
特許 5100057 | 半導体装置の製造方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5100853 | プラズマ処理方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5100372 | 基材を処理するための加工システムおよび方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5101069 | 高圧力蒸着及び低圧力エッチング処理の組み合わせにおける均一プラズマのためのIPVDのためのICP源 | 2012年12月19日 | 共同出願 |
特許 5100075 | プラズマエッチング方法 | 2012年12月19日 |
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5106122 5107318 5111030 5106278 5106424 5105399 5106331 5107597 5108557 5107032 5100057 5100853 5100372 5101069 5100075
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5月30日(金) -
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