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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第53位 714件
(2011年:第62位 621件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第37位 902件
(2011年:第41位 739件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5101665 | 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム | 2012年12月19日 | |
特許 5104151 | 気化装置、成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | 2012年12月19日 | |
特許 5102706 | バッフル板及び基板処理装置 | 2012年12月19日 | |
特許 5102653 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | 2012年12月19日 | |
特許 5100853 | プラズマ処理方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5100863 | 液処理装置 | 2012年12月19日 | |
特許 5100075 | プラズマエッチング方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5101103 | プラズマ処理方法及びコンピュータ記憶媒体 | 2012年12月19日 | |
特許 5100372 | 基材を処理するための加工システムおよび方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5104994 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | 2012年12月19日 | |
特許 5099874 | プローブカードの固定機構、プローブカードの固定方法及びプローブ装置 | 2012年12月19日 | |
特許 5103223 | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理装置の使用方法 | 2012年12月19日 | 共同出願 |
特許 5101069 | 高圧力蒸着及び低圧力エッチング処理の組み合わせにおける均一プラズマのためのIPVDのためのICP源 | 2012年12月19日 | 共同出願 |
特許 5101256 | 基板処理方法および半導体装置の製造方法、コンピュータ可読記録媒体 | 2012年12月19日 | |
特許 5103983 | ガス供給方法、ガス供給装置、半導体製造装置及び記憶媒体 | 2012年12月19日 |
902 件中 31-45 件を表示
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5101665 5104151 5102706 5102653 5100853 5100863 5100075 5101103 5100372 5104994 5099874 5103223 5101069 5101256 5103983
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5月30日(金) -
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6月4日(水) -
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