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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2024-525903 | パワー半導体デバイス | 2024年 7月12日 | |
特表 2024-525085 | ガス絶縁高電圧または中電圧回路遮断器 | 2024年 7月 9日 | |
特開 2024-86622 | 断路器またはアーススイッチ | 2024年 6月27日 | |
特表 2024-522447 | 計器用変圧器 | 2024年 6月21日 | |
特表 2024-522309 | 絶縁ゲートを有する半導体素子、絶縁ゲートを有する半導体素子の製造方法、および絶縁ゲートを有する半導体素子を含むパワーモジュール | 2024年 6月14日 | |
特表 2024-521999 | 結合負荷に対する負荷電圧を使用した電気的投入時点の決定 | 2024年 6月 5日 | |
特表 2024-521420 | パワー半導体モジュール | 2024年 5月31日 | |
特表 2024-520459 | エネルギー貯蔵ユニットを備えるシステムおよびそのようなシステムにおける方法 | 2024年 5月24日 | |
特表 2024-520077 | クランプ要素およびパワー半導体デバイスの製造方法 | 2024年 5月21日 | |
特表 2024-520079 | 炭素空孔の濃度が低減された半導体デバイスおよび半導体デバイスを製造するための方法 | 2024年 5月21日 | |
特表 2024-519185 | 大規模エネルギー貯蔵用モジュール | 2024年 5月 8日 | |
特表 2024-518684 | パワーモジュールを製造するための方法およびパワーモジュール | 2024年 5月 2日 | |
特開 2024-56942 | ネットワークにおける現在時刻の取得 | 2024年 4月23日 | |
特表 2024-517079 | ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス | 2024年 4月19日 | |
特表 2024-517321 | 炭化ケイ素基板を生成するための方法 | 2024年 4月19日 |
63 件中 31-45 件を表示
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2024-525903 2024-525085 2024-86622 2024-522447 2024-522309 2024-521999 2024-521420 2024-520459 2024-520077 2024-520079 2024-519185 2024-518684 2024-56942 2024-517079 2024-517321
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1月24日(金) -
1月24日(金) - 東京 千代田区
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1月24日(金) - 東京 千代田区
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1月29日(水) -
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