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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第3286位 6件
（
2016年：第2477位 8件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第8798位 1件
（2016年：第1862位 10件）
（ランキング更新日：2025年6月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-216381 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2017年12月 7日 | |
| 特開 2017-199738 | 低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法 | 2017年11月 2日 | |
| 特開 2017-199775 | 金属汚染濃度分析方法 | 2017年11月 2日 | |
| 特開 2017-199788 | シリコンウェーハ | 2017年11月 2日 | |
| 特開 2017-188526 | 半導体基板の保護膜形成方法 | 2017年10月12日 | |
| 特開 2017-95299 | 単結晶育成用の黒鉛ルツボ | 2017年 6月 1日 |
6 件中 1-6 件を表示
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2017-216381 2017-199738 2017-199775 2017-199788 2017-188526 2017-95299
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