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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第1973位 11件
（
2019年：第2815位 7件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第2418位 6件
（2019年：第3977位 3件）
（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2020-161556 | 電気特性測定装置及び電気特性測定方法 | 2020年10月 1日 | |
| 特開 2020-161557 | ギャップ制御方法及び電気特性測定方法 | 2020年10月 1日 | |
| 特開 2020-115531 | ＤＬＴＳ測定用電極の作製方法 | 2020年 7月30日 | |
| 再表 2019-17326 | 三次元構造体の製造方法、縦型トランジスタの製造方法、縦型トランジスタ用ウェ−ハおよび縦型トランジスタ用基板 | 2020年 7月27日 | |
| 特開 2020-98115 | シリコンウェーハの極低酸素濃度測定方法 | 2020年 6月25日 | |
| 特開 2020-64891 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2020年 4月23日 | |
| 特開 2020-45258 | シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 3月26日 | |
| 特開 2020-41809 | シリコン結晶の分析用試料の調製方法およびシリコン結晶中の微量不純物の定量方法 | 2020年 3月19日 | |
| 特開 2020-35903 | シリコンウェーハの製造方法 | 2020年 3月 5日 | |
| 特開 2020-21766 | シリコンウェーハの製造方法 | 2020年 2月 6日 | |
| 特開 2020-4760 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2020年 1月 9日 |
11 件中 1-11 件を表示
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2020-161556 2020-161557 2020-115531 2019-17326 2020-98115 2020-64891 2020-45258 2020-41809 2020-35903 2020-21766 2020-4760
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