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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第1835位 12件
(2022年:第2007位 11件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第1999位 9件
(2022年:第1763位 11件)
(ランキング更新日:2025年4月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2023-176237 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2023年12月13日 | |
特開 2023-174393 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2023年12月 7日 | |
特開 2023-93983 | 高抵抗シリコンウェーハの厚さ測定方法及び平坦度測定方法 | 2023年 7月 5日 | |
特開 2023-93096 | シリコンエピタキシャル基板の製造方法およびシリコンエピタキシャル基板 | 2023年 7月 4日 | |
特開 2023-90154 | シリコンウェーハ表面の結晶欠陥検出方法 | 2023年 6月29日 | |
特開 2023-81004 | 単結晶引上装置及び単結晶の製造方法 | 2023年 6月 9日 | |
特開 2023-78641 | 単結晶引上装置及び単結晶の製造方法 | 2023年 6月 7日 | |
特開 2023-65064 | シリコン単結晶の製造方法 | 2023年 5月12日 | |
特開 2023-55477 | 研磨パッド、研磨装置、および研磨方法 | 2023年 4月18日 | |
特開 2023-32937 | シリコンウェーハの洗浄方法 | 2023年 3月 9日 | |
特開 2023-23911 | シリコンウェーハ用サセプタの前処理方法およびシリコンウェーハの熱処理方法 | 2023年 2月16日 | |
特開 2023-20503 | シリコン単結晶の製造方法及び単結晶引上装置 | 2023年 2月 9日 |
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2023-176237 2023-174393 2023-93983 2023-93096 2023-90154 2023-81004 2023-78641 2023-65064 2023-55477 2023-32937 2023-23911 2023-20503
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