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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第1358位 16件
(
2020年:第2020位 10件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第1852位 9件
(
2020年:第2418位 6件)
(ランキング更新日:2026年10月16日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2021-187696 | 原料シリコンの充填方法 | 2021年12月13日 | |
| 特開 2021-143091 | シリコン原料の洗浄装置 | 2021年 9月24日 | |
| 特開 2021-130577 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | 2021年 9月 9日 | |
| 特開 2021-130578 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | 2021年 9月 9日 | |
| 特開 2021-130579 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | 2021年 9月 9日 | |
| 特開 2021-127278 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 9月 2日 | |
| 特開 2021-109806 | エピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2021年 8月 2日 | |
| 特開 2021-109807 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 8月 2日 | |
| 特開 2021-106239 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2021年 7月26日 | |
| 特開 2021-90006 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2021年 6月10日 | |
| 特開 2021-90007 | シリコンウェーハ及びその熱処理方法 | 2021年 6月10日 | |
| 特開 2021-90067 | シリコンウェーハ | 2021年 6月10日 | |
| 特開 2021-75414 | 単結晶引上方法及び単結晶引上装置 | 2021年 5月20日 | |
| 特開 2021-75425 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 5月20日 | |
| 特開 2021-31356 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 3月 1日 |
16 件中 1-15 件を表示
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2021-187696 2021-143091 2021-130577 2021-130578 2021-130579 2021-127278 2021-109806 2021-109807 2021-106239 2021-90006 2021-90007 2021-90067 2021-75414 2021-75425 2021-31356
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