ホーム > 特許ランキング > グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 > 2026年の出願公開
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第1210位 15件
(
2025年:第2022位 10件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第1461位 10件
(
2025年:第1750位 10件)
(ランキング更新日:2026年10月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2026-152089 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | 2026年 9月29日 | |
| 特開 2026-114012 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2026年 7月 8日 | |
| 特開 2026-111063 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | 2026年 7月 3日 | |
| 特開 2026-100442 | 半導体ウェーハの外観検査方法、外観検査装置および判定プログラム | 2026年 6月19日 | |
| 特開 2026-94916 | 半導体基板の研磨方法 | 2026年 6月10日 | |
| 特開 2026-88212 | シリコン単結晶の製造方法及び単結晶引上装置 | 2026年 5月28日 | |
| 特開 2026-84948 | 貼り合わせ用半導体ウェーハの製造方法、複合基板の製造方法および貼り合わせ用半導体ウェーハ | 2026年 5月22日 | |
| 特開 2026-75763 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2026年 5月11日 | |
| 特開 2026-45923 | 複合基板の製造方法、複合基板、および弾性波デバイス | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-45924 | 複合基板の製造方法、複合基板、および弾性波素子 | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-45925 | 複合基板の製造方法、複合基板、および弾性波素子 | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-34507 | シリコン単結晶 | 2026年 2月27日 | |
| 特開 2026-10396 | サセプタのクリーニング方法 | 2026年 1月22日 | |
| 特開 2026-6227 | シリコン単結晶の製造方法 | 2026年 1月16日 | |
| 特開 2026-1908 | シリコン単結晶の製造方法 | 2026年 1月 8日 |
15 件中 1-15 件を表示
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2026-152089 2026-114012 2026-111063 2026-100442 2026-94916 2026-88212 2026-84948 2026-75763 2026-45923 2026-45924 2026-45925 2026-34507 2026-10396 2026-6227 2026-1908
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