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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

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 ■ 2026年 出願公開件数ランキング    第1210位 15件 (上昇2025年:第2022位 10件)

 ■ 2026年 特許取得件数ランキング    第1461位 10件 (上昇2025年:第1750位 10件)

(ランキング更新日:2026年10月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2026-152089 シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ 2026年 9月29日
特開 2026-114012 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 2026年 7月 8日
特開 2026-111063 シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ 2026年 7月 3日
特開 2026-100442 半導体ウェーハの外観検査方法、外観検査装置および判定プログラム 2026年 6月19日
特開 2026-94916 半導体基板の研磨方法 2026年 6月10日
特開 2026-88212 シリコン単結晶の製造方法及び単結晶引上装置 2026年 5月28日
特開 2026-84948 貼り合わせ用半導体ウェーハの製造方法、複合基板の製造方法および貼り合わせ用半導体ウェーハ 2026年 5月22日
特開 2026-75763 半導体ウェーハの製造方法 2026年 5月11日
特開 2026-45923 複合基板の製造方法、複合基板、および弾性波デバイス 2026年 3月13日
特開 2026-45924 複合基板の製造方法、複合基板、および弾性波素子 2026年 3月13日
特開 2026-45925 複合基板の製造方法、複合基板、および弾性波素子 2026年 3月13日
特開 2026-34507 シリコン単結晶 2026年 2月27日
特開 2026-10396 サセプタのクリーニング方法 2026年 1月22日
特開 2026-6227 シリコン単結晶の製造方法 2026年 1月16日
特開 2026-1908 シリコン単結晶の製造方法 2026年 1月 8日

15 件中 1-15 件を表示

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2026-152089 2026-114012 2026-111063 2026-100442 2026-94916 2026-88212 2026-84948 2026-75763 2026-45923 2026-45924 2026-45925 2026-34507 2026-10396 2026-6227 2026-1908

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