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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第1250位 17件 (2023年:第1835位 12件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第1510位 12件 (2023年:第1999位 9件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-162803 | 半導体ウェーハの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | 2024年11月21日 | |
特開 2024-158114 | 半導体ウェーハの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | 2024年11月 8日 | |
特開 2024-148525 | シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 | 2024年10月18日 | |
特開 2024-148635 | 熱処理用ガス整流器、熱処理用ボート、および熱処理方法 | 2024年10月18日 | |
特開 2024-117142 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 | 2024年 8月29日 | |
特開 2024-90096 | シリコンウェーハの製造方法 | 2024年 7月 4日 | |
特開 2024-90466 | シリコンウェーハの製造方法 | 2024年 7月 4日 | |
特開 2024-88149 | 単結晶引上装置及び単結晶引上方法 | 2024年 7月 2日 | |
特開 2024-78489 | デバイスパターンの除去方法、及びこの方法を用いたシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法 | 2024年 6月11日 | |
特開 2024-79084 | 単結晶引上方法 | 2024年 6月11日 | |
特開 2024-57807 | 単結晶引上装置および単結晶引上方法 | 2024年 4月25日 | |
特開 2024-55086 | シリコン単結晶の製造方法 | 2024年 4月18日 | |
特開 2024-55609 | 単結晶引上方法 | 2024年 4月18日 | |
特開 2024-18606 | シリコン単結晶 | 2024年 2月 8日 | |
特開 2024-18607 | シリコン単結晶 | 2024年 2月 8日 |
17 件中 1-15 件を表示
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2024-162803 2024-158114 2024-148525 2024-148635 2024-117142 2024-90096 2024-90466 2024-88149 2024-78489 2024-79084 2024-57807 2024-55086 2024-55609 2024-18606 2024-18607
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 東京 千代田区
11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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