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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第1174位 20件 (2023年:第1835位 12件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第1355位 15件 (2023年:第1999位 9件)
(ランキング更新日:2025年1月7日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-171189 | 多層膜SOIウェーハの製造方法及び多層膜SOIウェーハ | 2024年12月11日 | |
特開 2024-169092 | 熱処理装置及び熱処理装置のメンテナンス方法、並びにランプスリーブの再生方法 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-169093 | 熱処理装置及び半導体基板の製造方法 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-162803 | 半導体ウェーハの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | 2024年11月21日 | |
特開 2024-158114 | 半導体ウェーハの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | 2024年11月 8日 | |
特開 2024-148525 | シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 | 2024年10月18日 | |
特開 2024-148635 | 熱処理用ガス整流器、熱処理用ボート、および熱処理方法 | 2024年10月18日 | |
特開 2024-117142 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 | 2024年 8月29日 | |
特開 2024-90096 | シリコンウェーハの製造方法 | 2024年 7月 4日 | |
特開 2024-90466 | シリコンウェーハの製造方法 | 2024年 7月 4日 | |
特開 2024-88149 | 単結晶引上装置及び単結晶引上方法 | 2024年 7月 2日 | |
特開 2024-78489 | デバイスパターンの除去方法、及びこの方法を用いたシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法 | 2024年 6月11日 | |
特開 2024-79084 | 単結晶引上方法 | 2024年 6月11日 | |
特開 2024-57807 | 単結晶引上装置および単結晶引上方法 | 2024年 4月25日 | |
特開 2024-55086 | シリコン単結晶の製造方法 | 2024年 4月18日 |
20 件中 1-15 件を表示
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2024-171189 2024-169092 2024-169093 2024-162803 2024-158114 2024-148525 2024-148635 2024-117142 2024-90096 2024-90466 2024-88149 2024-78489 2024-79084 2024-57807 2024-55086
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1月8日(水) -
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1月9日(木) -
1月10日(金) -
1月11日(土) -
1月11日(土) -
1月8日(水) -
1月14日(火) - 東京 港区
1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月14日(火) - 東京 港区
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