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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

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  2024年 出願公開件数ランキング    第1174位 20件 上昇2023年:第1835位 12件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第1355位 15件 上昇2023年:第1999位 9件)

(ランキング更新日:2025年1月7日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2024-171189 多層膜SOIウェーハの製造方法及び多層膜SOIウェーハ 2024年12月11日
特開 2024-169092 熱処理装置及び熱処理装置のメンテナンス方法、並びにランプスリーブの再生方法 2024年12月 5日
特開 2024-169093 熱処理装置及び半導体基板の製造方法 2024年12月 5日
特開 2024-162803 半導体ウェーハの製造方法および半導体デバイスの製造方法 2024年11月21日
特開 2024-158114 半導体ウェーハの製造方法および半導体デバイスの製造方法 2024年11月 8日
特開 2024-148525 シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 2024年10月18日
特開 2024-148635 熱処理用ガス整流器、熱処理用ボート、および熱処理方法 2024年10月18日
特開 2024-117142 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 2024年 8月29日
特開 2024-90096 シリコンウェーハの製造方法 2024年 7月 4日
特開 2024-90466 シリコンウェーハの製造方法 2024年 7月 4日
特開 2024-88149 単結晶引上装置及び単結晶引上方法 2024年 7月 2日
特開 2024-78489 デバイスパターンの除去方法、及びこの方法を用いたシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法 2024年 6月11日
特開 2024-79084 単結晶引上方法 2024年 6月11日
特開 2024-57807 単結晶引上装置および単結晶引上方法 2024年 4月25日
特開 2024-55086 シリコン単結晶の製造方法 2024年 4月18日

20 件中 1-15 件を表示

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2024-171189 2024-169092 2024-169093 2024-162803 2024-158114 2024-148525 2024-148635 2024-117142 2024-90096 2024-90466 2024-88149 2024-78489 2024-79084 2024-57807 2024-55086

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