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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件 (2012年:第404位 100件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件 (2012年:第234位 161件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5376752 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | 2013年12月25日 | 共同出願 |
特許 5375768 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年12月25日 | |
特許 5375794 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年12月25日 | |
特許 5375889 | 単結晶の製造方法 | 2013年12月25日 | |
特許 5375809 | 断熱筒、断熱筒の製造方法及び単結晶製造装置 | 2013年12月25日 | |
特許 5370209 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年12月18日 | |
特許 5365581 | 薄膜付ウェーハの評価方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5365617 | 半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶の製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5359991 | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2013年12月 4日 | |
特許 5353730 | 超音波洗浄方法と超音波洗浄装置、および超音波洗浄に用いる伝播水の製造方法 | 2013年11月27日 | |
特許 5353058 | インゴットの円筒研削方法で用いられる固定アダプタ | 2013年11月27日 | |
特許 5347791 | 半導体エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5347288 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5347319 | 縦型熱処理装置 | 2013年11月20日 | |
特許 5343713 | 半導体ウェーハの評価装置 | 2013年11月13日 |
154 件中 1-15 件を表示
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5376752 5375768 5375794 5375889 5375809 5370209 5365581 5365617 5359991 5353730 5353058 5347791 5347288 5347319 5343713
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11月25日(月) -
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11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
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12月1日(日) -
11月25日(月) -
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