信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年12月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5105310 | 発光素子及びその製造方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5109928 | 単結晶直径の検出方法、及びこれを用いた単結晶の製造方法、並びに単結晶製造装置 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5109588 | 熱処理装置 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5104129 | 単結晶直径の検出方法および単結晶引上げ装置 | 2012年12月19日 | |
| 特許 5096780 | ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2012年12月12日 | 共同出願 |
| 特許 5099024 | エピタキシャルウエーハの製造方法及び半導体装置の製造方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5099111 | 両面研磨装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5099023 | エピタキシャルウエーハの製造方法及び固体撮像素子の製造方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5088338 | シリコン単結晶の引き上げ方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5092857 | シリコンウェーハのＧＯＩ評価方法及びＭＯＳ型半導体装置の製造方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5090682 | 半導体基板の処理方法 | 2012年12月 5日 | 共同出願 |
| 特許 5092940 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5077299 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2012年11月21日 | |
| 特許 5077320 | Ｎ型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープＮ型シリコン単結晶 | 2012年11月21日 | |
| 特許 5077145 | シリコン単結晶基板の評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | 2012年11月21日 |
161 件中 1-15 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
5105310 5109928 5109588 5104129 5096780 5099024 5099111 5099023 5088338 5092857 5090682 5092940 5077299 5077320 5077145
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
12月15日(月) -
12月15日(月) -
12月15日(月) -
12月15日(月) -
12月15日(月) -
12月16日(火) - 東京 千代田区
12月16日(火) -
12月16日(火) -
12月17日(水) -
12月17日(水) -
12月17日(水) -
12月17日(水) -
12月17日(水) -
12月18日(木) -
12月18日(木) -
12月18日(木) -
12月19日(金) - 山口 山口市
12月19日(金) - 東京 千代田区
12月19日(金) - 大阪 大阪市
【大阪会場】 前田知財塾 ～スキルアップ編～ 知財の仕事を、もっと深く、もっと面白く！ 第2回 「特許権侵害判断・回避構造の検討」
12月19日(金) - 神奈川 川崎市
12月19日(金) -
12月19日(金) -
12月19日(金) -
12月19日(金) -
12月15日(月) -
12月22日(月) -
12月22日(月) -
12月23日(火) -
12月23日(火) -
12月23日(火) -
12月23日(火) -
12月23日(火) -
12月24日(水) -
12月24日(水) -
12月24日(水) -
12月25日(木) -
12月25日(木) -
12月22日(月) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
東京都板橋区東新町１－５０－１ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許
〒951-8152 新潟県新潟市中央区信濃町21番7号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒104-0045 東京都中央区築地1-12-22 コンワビル4F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
