信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2025年3月21日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5644794 | リチャージ管及びリチャージ方法 | 2014年12月24日 | |
| 特許 5644670 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2014年12月24日 | |
| 特許 5640896 | 気相成長方法及び発光素子用基板の製造方法 | 2014年12月17日 | |
| 特許 5636886 | 絶縁破壊寿命シミュレーション方法及びシリコンウェーハ表面の品質評価方法 | 2014年12月10日 | |
| 特許 5633537 | 半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置 | 2014年12月 3日 | |
| 特許 5630414 | ウェーハの加工方法 | 2014年11月26日 | |
| 特許 5630426 | 気相成長装置の清浄度評価方法 | 2014年11月26日 | |
| 特許 5630301 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2014年11月26日 | |
| 特許 5630446 | 石英ルツボ及びシリコン単結晶の製造方法 | 2014年11月26日 | |
| 特許 5626163 | エピタキシャル成長装置 | 2014年11月19日 | |
| 特許 5625239 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2014年11月19日 | |
| 特許 5626188 | 半導体ウェーハの熱処理方法 | 2014年11月19日 | |
| 特許 5621791 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及び電子デバイス | 2014年11月12日 | |
| 特許 5621733 | シリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法 | 2014年11月12日 | |
| 特許 5621702 | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | 2014年11月12日 |
155 件中 1-15 件を表示
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5644794 5644670 5640896 5636886 5633537 5630414 5630426 5630301 5630446 5626163 5625239 5626188 5621791 5621733 5621702
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