信越半導体株式会社
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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第318位 124件
（
2014年：第313位 122件）
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第308位 89件
（2014年：第258位 155件）
（ランキング更新日：2025年3月21日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5835158 | 黒鉛ルツボ | 2015年12月24日 | |
| 特許 5837290 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置 | 2015年12月24日 | |
| 特許 5830215 | エピタキシャルウエーハ並びにその製造方法 | 2015年12月 9日 | |
| 特許 5831436 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年12月 9日 | |
| 特許 5828307 | シリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法 | 2015年12月 2日 | |
| 特許 5819600 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2015年11月24日 | |
| 特許 5821828 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2015年11月24日 | |
| 特許 5821883 | テンプレートアセンブリ及びテンプレートアセンブリの製造方法 | 2015年11月24日 | |
| 特許 5817542 | シリコン基板の製造方法 | 2015年11月18日 | |
| 特許 5811355 | エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年11月11日 | |
| 特許 5807505 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2015年11月10日 | |
| 特許 5807522 | エピタキシャル成長装置 | 2015年11月10日 | |
| 特許 5807580 | 研磨ヘッド及び研磨装置 | 2015年11月10日 | |
| 特許 5807648 | 両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 | 2015年11月10日 | |
| 特許 5803601 | 研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置 | 2015年11月 4日 |
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5835158 5837290 5830215 5831436 5828307 5819600 5821828 5821883 5817542 5811355 5807505 5807522 5807580 5807648 5803601
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