信越半導体株式会社
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（
2021年：第437位 79件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第392位 75件
（
2021年：第359位 73件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7196825 | シリコン基板表面の金属不純物評価方法 | 2022年12月27日 | |
| 特許 7193026 | 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 | 2022年12月20日 | |
| 特許 7188299 | 炭素ドープシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 | 2022年12月13日 | |
| 特許 7188377 | 標準サンプルおよびその作製方法、ならびにＥＢＳＤ測定装置の管理方法 | 2022年12月13日 | |
| 特許 7176483 | 半導体基板の評価方法および評価用半導体基板 | 2022年11月22日 | |
| 特許 7172747 | シリコン単結晶の抵抗率測定方法 | 2022年11月16日 | |
| 特許 7172951 | 半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハの選別方法及びデバイスの製造方法 | 2022年11月16日 | |
| 特許 7172955 | シリコン単結晶の欠陥領域判定方法およびシリコン単結晶の製造方法 | 2022年11月16日 | |
| 特許 7173082 | 気相成長用のシリコン単結晶基板、気相成長基板及びこれらの製造方法 | 2022年11月16日 | |
| 特許 7173091 | 平面研削方法 | 2022年11月16日 | |
| 特許 7168109 | 両面研磨装置 | 2022年11月 9日 | |
| 特許 7168113 | ウェーハの両面研磨方法 | 2022年11月 9日 | |
| 特許 7164025 | 電子デバイスの製造方法 | 2022年11月 1日 | |
| 特許 7164058 | 端面部測定装置および端面部測定方法 | 2022年11月 1日 | |
| 特許 7160006 | 単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法 | 2022年10月25日 |
75 件中 1-15 件を表示
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7196825 7193026 7188299 7188377 7176483 7172747 7172951 7172955 7173082 7173091 7168109 7168113 7164025 7164058 7160006
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