信越半導体株式会社
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（
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（
2018年：第275位 105件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6627002 | ワークの切断方法及びワークの切断装置 | 2019年12月25日 | |
| 特許 6623973 | 発光素子及び発光素子の製造方法 | 2019年12月25日 | |
| 特許 6620670 | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 | 2019年12月18日 | |
| 特許 6617736 | 炭素濃度測定方法 | 2019年12月11日 | |
| 特許 6617721 | インゴット切断装置 | 2019年12月11日 | |
| 特許 6617680 | シリコン単結晶引上装置 | 2019年12月11日 | |
| 特許 6615075 | 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、及び、半導体デバイス用基板の製造方法 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6614380 | 単結晶製造装置 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6614076 | 貼り合わせ用基板の表面欠陥の評価方法 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6610816 | シリコン単結晶引上装置 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610226 | 半導体単結晶棒の製造装置 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610443 | 半導体シリコンウェーハの表面欠陥検査方法 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610587 | ウェーハの製造方法 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6607525 | シリコン単結晶基板の酸素濃度測定方法及びシリコン単結晶基板の製造方法 | 2019年11月20日 | |
| 特許 6607207 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2019年11月20日 |
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6627002 6623973 6620670 6617736 6617721 6617680 6615075 6614380 6614076 6610816 6610226 6610443 6610587 6607525 6607207
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