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信越半導体株式会社

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 ■ 2019年 出願公開件数ランキング    第385位 93件 (上昇2018年:第423位 76件)

 ■ 2019年 特許取得件数ランキング    第322位 84件 (下降2018年:第275位 105件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6627002 ワークの切断方法及びワークの切断装置 2019年12月25日
特許 6623973 発光素子及び発光素子の製造方法 2019年12月25日
特許 6620670 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 2019年12月18日
特許 6617736 炭素濃度測定方法 2019年12月11日
特許 6617721 インゴット切断装置 2019年12月11日
特許 6617680 シリコン単結晶引上装置 2019年12月11日
特許 6615075 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、及び、半導体デバイス用基板の製造方法 2019年12月 4日
特許 6614380 単結晶製造装置 2019年12月 4日
特許 6614076 貼り合わせ用基板の表面欠陥の評価方法 2019年12月 4日
特許 6610816 シリコン単結晶引上装置 2019年11月27日
特許 6610226 半導体単結晶棒の製造装置 2019年11月27日
特許 6610443 半導体シリコンウェーハの表面欠陥検査方法 2019年11月27日
特許 6610587 ウェーハの製造方法 2019年11月27日
特許 6607525 シリコン単結晶基板の酸素濃度測定方法及びシリコン単結晶基板の製造方法 2019年11月20日
特許 6607207 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 2019年11月20日

86 件中 1-15 件を表示

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6627002 6623973 6620670 6617736 6617721 6617680 6615075 6614380 6614076 6610816 6610226 6610443 6610587 6607525 6607207

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