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信越半導体株式会社

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  2017年 出願公開件数ランキング    第368位 116件 下降2016年:第339位 111件)

  2017年 特許取得件数ランキング    第265位 112件 変わらず2016年:第265位 122件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6248857 研磨布の評価方法 2017年12月20日
特許 6249868 半導体基板及び半導体素子 2017年12月20日
特許 6245156 シリコンウェーハの評価方法 2017年12月13日
特許 6245380 発光素子及び発光素子の製造方法 2017年12月13日
特許 6237605 シリコン単結晶の製造方法 2017年11月29日
特許 6233182 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 2017年11月22日
特許 6233326 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 2017年11月22日
特許 6233712 気相成長装置及び被処理基板の支持構造 2017年11月22日
特許 6234957 エピタキシャルウェーハの製造方法 2017年11月22日
特許 6222013 抵抗率制御方法 2017年11月 1日
特許 6222056 シリコン単結晶の温度の推定方法及びシリコン単結晶の製造方法 2017年11月 1日
特許 6222171 定寸装置、研磨装置、及び研磨方法 2017年11月 1日
特許 6222393 インゴットの切断方法 2017年11月 1日
特許 6225252 研磨パッド及びその製造方法 2017年11月 1日
特許 6217514 サファイア単結晶の製造方法 2017年10月25日

117 件中 1-15 件を表示

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6248857 6249868 6245156 6245380 6237605 6233182 6233326 6233712 6234957 6222013 6222056 6222171 6222393 6225252 6217514

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