信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第368位 116件
（
2016年：第339位 111件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第265位 112件
（
2016年：第265位 122件）
（ランキング更新日：2026年1月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6248857 | 研磨布の評価方法 | 2017年12月20日 | |
| 特許 6249868 | 半導体基板及び半導体素子 | 2017年12月20日 | |
| 特許 6245156 | シリコンウェーハの評価方法 | 2017年12月13日 | |
| 特許 6245380 | 発光素子及び発光素子の製造方法 | 2017年12月13日 | |
| 特許 6237605 | シリコン単結晶の製造方法 | 2017年11月29日 | |
| 特許 6233182 | 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | 2017年11月22日 | |
| 特許 6233326 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 | 2017年11月22日 | |
| 特許 6233712 | 気相成長装置及び被処理基板の支持構造 | 2017年11月22日 | |
| 特許 6234957 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年11月22日 | |
| 特許 6222013 | 抵抗率制御方法 | 2017年11月 1日 | |
| 特許 6222056 | シリコン単結晶の温度の推定方法及びシリコン単結晶の製造方法 | 2017年11月 1日 | |
| 特許 6222171 | 定寸装置、研磨装置、及び研磨方法 | 2017年11月 1日 | |
| 特許 6222393 | インゴットの切断方法 | 2017年11月 1日 | |
| 特許 6225252 | 研磨パッド及びその製造方法 | 2017年11月 1日 | |
| 特許 6217514 | サファイア単結晶の製造方法 | 2017年10月25日 |
117 件中 1-15 件を表示
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6248857 6249868 6245156 6245380 6237605 6233182 6233326 6233712 6234957 6222013 6222056 6222171 6222393 6225252 6217514
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