信越半導体株式会社
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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第408位 79件
（
2020年：第445位 72件）
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第359位 73件
（2020年：第364位 72件）
（ランキング更新日：2026年10月16日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6977657 | 両面研磨装置用キャリアの保管方法及びウェーハの両面研磨方法 | 2021年12月 8日 | |
| 特許 6973368 | ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置 | 2021年11月24日 | |
| 特許 6973361 | 酸素濃度測定方法 | 2021年11月24日 | |
| 特許 6973340 | 給排気制御装置、ウェーハ処理装置、及びウェーハ処理方法 | 2021年11月24日 | |
| 特許 6969579 | ワークの切断方法及びワイヤソー | 2021年11月24日 | |
| 特許 6968670 | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年11月17日 | |
| 特許 6965305 | 両面研磨装置 | 2021年11月10日 | |
| 特許 6965861 | 気相成長装置 | 2021年11月10日 | |
| 特許 6962205 | 半導体装置の評価装置 | 2021年11月 5日 | |
| 特許 6954083 | ＦＺ用シリコン原料棒の製造方法およびＦＺシリコン単結晶の製造方法 | 2021年10月27日 | |
| 特許 6955675 | サンプル作製方法、欠陥観察方法 | 2021年10月27日 | |
| 特許 6947137 | ウェーハの金属汚染の評価方法およびウェーハの製造工程の管理方法 | 2021年10月13日 | |
| 特許 6947135 | 研磨装置、ウェーハの研磨方法、及び、ウェーハの製造方法 | 2021年10月13日 | |
| 特許 6945805 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年10月 6日 | |
| 特許 6943217 | 発光素子の配光特性の調整方法及び発光素子の製造方法 | 2021年 9月29日 |
73 件中 1-15 件を表示
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6977657 6973368 6973361 6973340 6969579 6968670 6965305 6965861 6962205 6954083 6955675 6947137 6947135 6945805 6943217
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