信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年12月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5376752 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | 2013年12月25日 | 共同出願 |
| 特許 5375768 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年12月25日 | |
| 特許 5375794 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年12月25日 | |
| 特許 5375889 | 単結晶の製造方法 | 2013年12月25日 | |
| 特許 5375809 | 断熱筒、断熱筒の製造方法及び単結晶製造装置 | 2013年12月25日 | |
| 特許 5370209 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年12月18日 | |
| 特許 5365581 | 薄膜付ウェーハの評価方法 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5365617 | 半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶の製造方法 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5359991 | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5353730 | 超音波洗浄方法と超音波洗浄装置、および超音波洗浄に用いる伝播水の製造方法 | 2013年11月27日 | |
| 特許 5353058 | インゴットの円筒研削方法で用いられる固定アダプタ | 2013年11月27日 | |
| 特許 5347791 | 半導体エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5347288 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5347319 | 縦型熱処理装置 | 2013年11月20日 | |
| 特許 5343713 | 半導体ウェーハの評価装置 | 2013年11月13日 |
154 件中 1-15 件を表示
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5376752 5375768 5375794 5375889 5375809 5370209 5365581 5365617 5359991 5353730 5353058 5347791 5347288 5347319 5343713
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