信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2020年 出願公開件数ランキング 第459位 73件
（
2019年：第396位 96件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第364位 72件
（2019年：第322位 84件）
（ランキング更新日：2025年12月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6791208 | 発光素子の製造方法 | 2020年11月25日 | |
| 特許 6791453 | 半導体基板の熱酸化膜形成方法 | 2020年11月25日 | |
| 特許 6791454 | 半導体基板の熱酸化膜形成方法 | 2020年11月25日 | |
| 特許 6784237 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年11月11日 | |
| 特許 6784248 | 点欠陥の評価方法 | 2020年11月11日 | |
| 特許 6779469 | 試料分析方法、試料導入装置 | 2020年11月 4日 | |
| 特許 6780800 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 | 2020年11月 4日 | |
| 特許 6777013 | 単結晶の製造方法 | 2020年10月28日 | |
| 特許 6777046 | 再結合ライフタイムの制御方法 | 2020年10月28日 | |
| 特許 6770720 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年10月21日 | |
| 特許 6773070 | シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの製造方法 | 2020年10月21日 | |
| 特許 6766786 | シリコン単結晶基板中の炭素濃度評価方法、及び半導体デバイスの製造方法 | 2020年10月14日 | |
| 特許 6760141 | 発光素子及びその製造方法 | 2020年 9月23日 | |
| 特許 6760245 | 薄膜ＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハの製造方法 | 2020年 9月23日 | |
| 特許 6756244 | 半導体シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 9月16日 |
75 件中 1-15 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
6791208 6791453 6791454 6784237 6784248 6779469 6780800 6777013 6777046 6770720 6773070 6766786 6760141 6760245 6756244
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
12月15日(月) -
12月15日(月) -
12月15日(月) -
12月15日(月) -
12月15日(月) -
12月16日(火) - 東京 千代田区
12月16日(火) -
12月16日(火) -
12月17日(水) -
12月17日(水) -
12月17日(水) -
12月17日(水) -
12月17日(水) -
12月18日(木) -
12月18日(木) -
12月18日(木) -
12月19日(金) - 山口 山口市
12月19日(金) - 東京 千代田区
12月19日(金) - 大阪 大阪市
【大阪会場】 前田知財塾 ～スキルアップ編～ 知財の仕事を、もっと深く、もっと面白く！ 第2回 「特許権侵害判断・回避構造の検討」
12月19日(金) - 神奈川 川崎市
12月19日(金) -
12月19日(金) -
12月19日(金) -
12月19日(金) -
12月15日(月) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒564-0051 大阪府吹田市豊津町1番18号 エクラート江坂ビル４Ｆ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標
〒500-8842 岐阜県岐阜市金町六丁目21 岐阜ステーションビル304 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都江戸川区西葛西3-13-2-501 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
