信越半導体株式会社
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第445位 72件
（
2019年：第385位 93件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第364位 72件
（2019年：第322位 84件）
（ランキング更新日：2026年10月16日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6791454 | 半導体基板の熱酸化膜形成方法 | 2020年11月25日 | |
| 特許 6791453 | 半導体基板の熱酸化膜形成方法 | 2020年11月25日 | |
| 特許 6791208 | 発光素子の製造方法 | 2020年11月25日 | |
| 特許 6784248 | 点欠陥の評価方法 | 2020年11月11日 | |
| 特許 6784237 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年11月11日 | |
| 特許 6780800 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 | 2020年11月 4日 | |
| 特許 6779469 | 試料分析方法、試料導入装置 | 2020年11月 4日 | |
| 特許 6777046 | 再結合ライフタイムの制御方法 | 2020年10月28日 | |
| 特許 6777013 | 単結晶の製造方法 | 2020年10月28日 | |
| 特許 6773070 | シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの製造方法 | 2020年10月21日 | |
| 特許 6770720 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年10月21日 | |
| 特許 6766786 | シリコン単結晶基板中の炭素濃度評価方法、及び半導体デバイスの製造方法 | 2020年10月14日 | |
| 特許 6760141 | 発光素子及びその製造方法 | 2020年 9月23日 | |
| 特許 6760245 | 薄膜ＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハの製造方法 | 2020年 9月23日 | |
| 特許 6756244 | 半導体シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 9月16日 |
75 件中 1-15 件を表示
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6791454 6791453 6791208 6784248 6784237 6780800 6779469 6777046 6777013 6773070 6770720 6766786 6760141 6760245 6756244
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