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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6052189	シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法	2016年12月27日
特許 6052188	シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法	2016年12月27日
特許 6052151	シリコン単結晶の製造方法	2016年12月27日
特許 6048381	シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法、及び、半導体デバイスの製造方法	2016年12月21日
特許 6047854	枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法	2016年12月21日
特許 6047456	拡散ウェーハの製造方法	2016年12月21日
特許 6045542	半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2016年12月14日
特許 6044277	シリコン単結晶ウェーハの製造方法	2016年12月14日
特許 6044455	ウェーハの研磨方法	2016年12月14日
特許 6044660	シリコンウェーハの製造方法	2016年12月14日
特許 6044521	半導体ウェーハの特性測定装置	2016年12月14日
特許 6040947	ワークの両頭研削方法	2016年12月 7日
特許 6040861	単結晶製造設備における排気配管内酸化物の燃焼方法	2016年12月 7日
特許 6036709	シリコン単結晶の直径検出用カメラのカメラ位置の調整方法及びカメラ位置調整治具	2016年11月30日
特許 6036670	シリコン単結晶基板の欠陥濃度評価方法	2016年11月30日

126 件中 1-15 件を表示

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6052189 6052188 6052151 6048381 6047854 6047456 6045542 6044277 6044455 6044660 6044521 6040947 6040861 6036709 6036670

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