特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2016年出願公開件数ランキング　　　第339位　111件（2015年：第318位　124件）

　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第265位　122件（2015年：第308位　89件）

（ランキング更新日：2025年1月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6052151	シリコン単結晶の製造方法	2016年12月27日
特許 6052188	シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法	2016年12月27日
特許 6052189	シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法	2016年12月27日
特許 6047456	拡散ウェーハの製造方法	2016年12月21日
特許 6047854	枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法	2016年12月21日
特許 6048381	シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法、及び、半導体デバイスの製造方法	2016年12月21日
特許 6044277	シリコン単結晶ウェーハの製造方法	2016年12月14日
特許 6044455	ウェーハの研磨方法	2016年12月14日
特許 6044521	半導体ウェーハの特性測定装置	2016年12月14日
特許 6044660	シリコンウェーハの製造方法	2016年12月14日
特許 6045542	半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2016年12月14日
特許 6040861	単結晶製造設備における排気配管内酸化物の燃焼方法	2016年12月 7日
特許 6040947	ワークの両頭研削方法	2016年12月 7日
特許 6036670	シリコン単結晶基板の欠陥濃度評価方法	2016年11月30日
特許 6036709	シリコン単結晶の直径検出用カメラのカメラ位置の調整方法及びカメラ位置調整治具	2016年11月30日

126 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

6052151 6052188 6052189 6047456 6047854 6048381 6044277 6044455 6044521 6044660 6045542 6040861 6040947 6036670 6036709

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数