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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7405070	エピタキシャルウェーハの欠陥評価方法	2023年12月26日
特許 7400789	窒化物半導体ウェーハの製造方法、及び窒化物半導体ウェーハ	2023年12月19日
特許 7400663	シリコン単結晶基板中の水素濃度の評価方法	2023年12月19日
特許 7400634	ＳＯＩ基板及びＳＯＩ基板の製造方法	2023年12月19日
特許 7392617	半導体ウェーハの反りの測定方法及び測定装置	2023年12月 6日
特許 7392578	高周波半導体装置の製造方法及び高周波半導体装置	2023年12月 6日
特許 7388434	シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ	2023年11月29日
特許 7388422	窒化物半導体基板の製造方法	2023年11月29日
特許 7388373	洗浄後の多結晶シリコン原料の保管容器、保管装置、及び保管方法	2023年11月29日
特許 7384264	エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ	2023年11月21日
特許 7380526	シールガスケットの取り付け方法	2023年11月15日
特許 7380517	ＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハ	2023年11月15日
特許 7380492	研磨用組成物及びウェーハの加工方法	2023年11月15日
特許 7367743	接合型半導体ウェーハの製造方法	2023年10月24日
特許 7368336	紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法、及び紫外線発光素子の製造方法	2023年10月24日

87 件中 1-15 件を表示

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7405070 7400789 7400663 7400634 7392617 7392578 7388434 7388422 7388373 7384264 7380526 7380517 7380492 7367743 7368336

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