信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5145792 | 枚葉式の熱処理装置及び熱処理方法 | 2013年 2月20日 | |
| 特許 5140990 | エピタキシャルシリコンウエーハの製造方法 | 2013年 2月13日 | |
| 特許 5141406 | シリコンエピタキシャルウェーハの評価方法及び製造方法 | 2013年 2月13日 | |
| 特許 5145131 | 研磨ヘッドの製造方法 | 2013年 2月13日 | 共同出願 |
| 特許 5135935 | 貼り合わせウエーハの製造方法 | 2013年 2月 6日 | |
| 特許 5131170 | 単結晶製造用上部ヒーターおよび単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5130894 | イオン注入条件の管理方法 | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5130808 | ウエーハ熱処理用治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボート | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5125098 | 窒化物半導体自立基板の製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5126267 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶製造装置 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5125983 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5125003 | シリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5125194 | 貼り合わせウエーハの製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5124973 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5124931 | 多層ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2013年 1月23日 |
154 件中 136-150 件を表示
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5145792 5140990 5141406 5145131 5135935 5131170 5130894 5130808 5125098 5126267 5125983 5125003 5125194 5124973 5124931
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