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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 5240651	多層シリコン半導体ウェーハ及びその作製方法	2013年 7月17日
特許 5239155	シリコンウエーハの製造方法	2013年 7月17日
特許 5238293	研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法	2013年 7月17日	共同出願
特許 5240658	化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、化合物半導体エピタキシャルウェーハ及び発光素子	2013年 7月17日
特許 5233894	窒化物半導体自立基板の製造方法	2013年 7月10日
特許 5234010	ワイヤソーおよびワークの切断方法	2013年 7月10日
特許 5233888	両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法	2013年 7月10日
特許 5234148	半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置	2013年 7月10日
特許 5229017	単結晶の製造方法	2013年 7月 3日
特許 5228857	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2013年 7月 3日
特許 5218326	並列ｐｎ接合構造を有する半導体基板の製造方法	2013年 6月26日
特許 5217353	絶縁膜の形成方法	2013年 6月19日
特許 5217981	シリコン単結晶の製造方法	2013年 6月19日
特許 5212041	両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法	2013年 6月19日
特許 5212426	ＣＶＤ炉の清浄度評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法	2013年 6月19日

154 件中 76-90 件を表示

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5240651 5239155 5238293 5240658 5233894 5234010 5233888 5234148 5229017 5228857 5218326 5217353 5217981 5212041 5212426

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