特許ランキング - 出願人詳細情報 -

東京エレクトロン株式会社

※ ログインすれば出願人(東京エレクトロン株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2013年出願公開件数ランキング　　　第60位　712件（2012年：第53位　714件）

　■　2013年特許取得件数ランキング　　　第45位　796件（2012年：第37位　902件）

（ランキング更新日：2025年2月27日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

東京エレクトロン株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2013-175640	基板の表面改質方法、コンピュータ記憶媒体及び基板の表面改質装置	2013年 9月 5日
特表 2013-534712	プラズマドーピング装置、プラズマドーピング方法、半導体素子の製造方法、および半導体素子	2013年 9月 5日
特開 2013-175430	マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置	2013年 9月 5日
特開 2013-175514	冷却システム、冷却システムを備える基板処理装置及び冷却方法	2013年 9月 5日
特開 2013-171987	塗布処理方法及び塗布処理装置	2013年 9月 2日
特開 2013-172153	ＭＯＣＶＤ反応器用シャワーヘッド、ＭＯＣＶＤ反応器、ＭＯＣＶＤ装置及び洗浄方法	2013年 9月 2日
特開 2013-171872	基板処理装置及び基板処理方法	2013年 9月 2日
特開 2013-171890	半導体装置の製造方法	2013年 9月 2日
特開 2013-171983	基板処理装置	2013年 9月 2日
特開 2013-171847	プラズマ処理装置及びプラズマのモニタリング方法	2013年 9月 2日
特開 2013-171862	金属ペースト充填方法及び金属ペースト充填装置及びビアプラグ作製方法	2013年 9月 2日
特開 2013-171871	基板処理装置及び基板処理方法	2013年 9月 2日
特開 2013-172120	周辺露光方法及び周辺露光装置	2013年 9月 2日
特開 2013-172013	基板処理装置、基板処理方法及び基板温度の設定可能帯域の変更方法	2013年 9月 2日
特表 2013-533980	反復空間高調波次数切り捨てによる計算効率化	2013年 8月29日	共同出願

712 件中 211-225 件を表示

... 15

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2013-175640 2013-534712 2013-175430 2013-175514 2013-171987 2013-172153 2013-171872 2013-171890 2013-171983 2013-171847 2013-171862 2013-171871 2013-172120 2013-172013 2013-533980

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。東京エレクトロン株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数