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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5351317 | 基板処理装置 | 2013年11月27日 | |
特許 5353905 | プラズマ処理装置及び酸化膜の形成方法 | 2013年11月27日 | |
特許 5348083 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | 2013年11月20日 | |
特許 5349445 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | 2013年11月20日 | |
特許 5346699 | Ge−Sb−Te膜の成膜方法および記憶媒体、ならびにPRAMの製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5349741 | 情報処理装置、半導体製造システム、情報処理方法、プログラム、及び記録媒体 | 2013年11月20日 | |
特許 5348290 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | 2013年11月20日 | |
特許 5348919 | 電極構造及び基板処理装置 | 2013年11月20日 | |
特許 5344824 | レジストパターンの形成方法および記録媒体 | 2013年11月20日 | |
特許 5348848 | プラズマ処理装置 | 2013年11月20日 | |
特許 5347294 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | 2013年11月20日 | |
特許 5347868 | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 | 2013年11月20日 | |
特許 5349066 | CDバイアスの減少したシリコン含有反射防止コーティング層のエッチング方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5345167 | 基板保持装置 | 2013年11月20日 | |
特許 5348277 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 | 2013年11月20日 |
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5351317 5353905 5348083 5349445 5346699 5349741 5348290 5348919 5344824 5348848 5347294 5347868 5349066 5345167 5348277
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