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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第175位 251件
(2015年:第156位 297件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第141位 251件
(2015年:第184位 166件)
(ランキング更新日:2025年6月27日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5850720 | グラフェン製造用銅箔、及びグラフェンの製造方法 | 2016年 2月 3日 | |
特許 5851582 | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット | 2016年 2月 3日 | |
特許 5851612 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 | 2016年 2月 3日 | |
特許 5852478 | 希土類含有スクラップからの希土類回収方法 | 2016年 2月 3日 | |
特許 5847741 | 廃正極材及び廃電池からの金属回収方法 | 2016年 1月27日 | |
特許 5847742 | 廃正極材及び廃電池からの金属回収方法 | 2016年 1月27日 | |
特許 5847787 | 導電性及び応力緩和特性に優れる銅合金板 | 2016年 1月27日 | |
特許 5847834 | グラフェン製造用銅箔及びその製造方法、並びにグラフェンの製造方法 | 2016年 1月27日 | |
特許 5847882 | 多層プリント配線板用の積層体の製造方法およびプリント基板の製造方法 | 2016年 1月27日 | |
特許 5845343 | NbO2焼結体及び該焼結体からなるスパッタリングターゲット並びにNbO2焼結体の製造方法 | 2016年 1月20日 | |
特許 5846987 | シリコン結晶インゴット製造用離型材およびシリコン結晶インゴット製造用離型材の形成方法 | 2016年 1月20日 | |
特許 5847203 | Co−Cr−Pt系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2016年 1月20日 | |
特許 5847207 | チタンインゴット、チタンインゴットの製造方法及びチタンスパッタリングターゲットの製造方法 | 2016年 1月20日 | |
特許 5847256 | α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法 | 2016年 1月20日 | |
特許 5847308 | 酸化亜鉛系焼結体、該焼結体からなる酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得られた酸化亜鉛系薄膜 | 2016年 1月20日 |
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5850720 5851582 5851612 5852478 5847741 5847742 5847787 5847834 5847882 5845343 5846987 5847203 5847207 5847256 5847308
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