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東京エレクトロン株式会社
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第43位 773件
（
2019年：第58位 660件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第54位 436件
（2019年：第58位 415件）
（ランキング更新日：2025年2月21日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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東京エレクトロン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2020-155768 | 基板処理装置、混合方法および基板処理方法 | 2020年 9月24日 | |
| 特開 2020-147772 | 成膜装置及び成膜方法 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147788 | 成膜方法 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147792 | 成膜方法および成膜装置 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147793 | 管理方法、成膜方法および成膜装置 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147794 | 基板処理方法及び基板処理装置 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147795 | プラズマ処理装置 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147799 | 配管、処理方法及び処理装置 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147804 | 基板処理装置及び基板処理方法 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147826 | 六方晶窒化ホウ素膜を形成する方法および装置 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147828 | フッ化コバルト膜の形成方法及び処理システム | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147829 | 成膜方法および成膜装置 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-147839 | グラフェン構造体を形成する方法および装置 | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-148473 | 複数のチャンバ圧力センサを校正する方法及び基板処理システム | 2020年 9月17日 | |
| 特開 2020-149859 | プラズマ処理装置 | 2020年 9月17日 |
777 件中 211-225 件を表示
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2020-155768 2020-147772 2020-147788 2020-147792 2020-147793 2020-147794 2020-147795 2020-147799 2020-147804 2020-147826 2020-147828 2020-147829 2020-147839 2020-148473 2020-149859
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