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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第641位 46件 (2022年:第231位 161件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第2186位 8件 (2022年:第3719位 4件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2023-152720 | イメージセンサ中の分離構造 | 2023年10月17日 | |
特開 2023-152240 | アナログ-デジタル変換装置及びオフセット補正方法 | 2023年10月16日 | |
特開 2023-147215 | メモリユニット及びそのレイアウト | 2023年10月12日 | |
特開 2023-138349 | 積層型イメージセンサ及びその製造方法 | 2023年10月 2日 | |
特開 2023-138358 | 分離構造を備えたイメージセンサ集積回路及び方法 | 2023年10月 2日 | |
特開 2023-135612 | 強誘電体デバイス及びその製造方法 | 2023年 9月28日 | |
特開 2023-133142 | メモリ構造及びその形成方法 | 2023年 9月22日 | |
特開 2023-133256 | メモリ装置構造及びその製造方法 | 2023年 9月22日 | |
特開 2023-129271 | 部分和に基づいた低減した読取エネルギーの使用 | 2023年 9月14日 | |
特開 2023-129282 | 集積回路設計を最適化するための装置及び方法 | 2023年 9月14日 | |
特開 2023-129379 | 超薄バリア層を有する抵抗型メモリ装置及びその形成方法 | 2023年 9月14日 | |
特開 2023-129385 | 半導体装置及び方法 | 2023年 9月14日 | |
特開 2023-121724 | 積層型CMOSイメージセンサ | 2023年 8月31日 | |
特開 2023-119577 | 底部電極ブリッジを含むメモリ装置及びその製造方法 | 2023年 8月28日 | |
特開 2023-118670 | 酸化ゲルマニウムスズ含有半導体装置およびその形成方法 | 2023年 8月25日 |
49 件中 16-30 件を表示
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2023-152720 2023-152240 2023-147215 2023-138349 2023-138358 2023-135612 2023-133142 2023-133256 2023-129271 2023-129282 2023-129379 2023-129385 2023-121724 2023-119577 2023-118670
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