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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第138位 311件
(2019年:第141位 330件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第136位 210件
(2019年:第156位 176件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6640878 | 基板キャリア及び基板を処理する方法 | 2020年 2月 5日 | |
特許 6640879 | 堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法 | 2020年 2月 5日 | |
特許 6641359 | 導管内でガスを処置するための装置 | 2020年 2月 5日 | |
特許 6636496 | 多層スタックを有する極紫外線反射素子、及び極紫外線反射素子を製造する方法 | 2020年 1月29日 | |
特許 6636594 | 基板の変形を修正するための方法及び装置 | 2020年 1月29日 | |
特許 6637047 | 基板を洗い流し乾燥させるためのシステム及び方法 | 2020年 1月29日 | |
特許 6637168 | 真空処理システムのための供給ラインガイド、供給ラインガイド及び処理システムの使用 | 2020年 1月29日 | |
特許 6637312 | 温度管理を備えるランプヘッドを有する基板処理システム | 2020年 1月29日 | |
特許 6637420 | エピタキシャル成長に先立って基板表面を予洗浄するための方法及び装置 | 2020年 1月29日 | |
特許 6633185 | 材料堆積装置、真空堆積システム及びそのための方法 | 2020年 1月22日 | |
特許 6634475 | 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ | 2020年 1月22日 | |
特許 6629204 | ツールプロセスデータの多変量解析を提供するためのK近傍法に基づく方法及びシステム | 2020年 1月15日 | |
特許 6629248 | エピタキシャルチャンバへのガス注入装置 | 2020年 1月15日 | |
特許 6629277 | 半導体用途のための結晶化処理 | 2020年 1月15日 | |
特許 6629312 | 選択的堆積のための方法及び装置 | 2020年 1月15日 |
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6640878 6640879 6641359 6636496 6636594 6637047 6637168 6637312 6637420 6633185 6634475 6629204 6629248 6629277 6629312
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