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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第42位 577件
(
2024年:第41位 605件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第34位 567件
(
2024年:第47位 555件)
(ランキング更新日:2026年4月27日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2025-542074 | イオン注入中のプラズマ支援ダメージエンジニアリング | 2025年12月25日 | |
| 特表 2025-542150 | 回転防止機能付きキャリア | 2025年12月25日 | |
| 特表 2025-542278 | 基板変形に対応した基板支持体及び移送装置 | 2025年12月25日 | |
| 特表 2025-542504 | 双極子形成プロセス | 2025年12月25日 | |
| 特開 2025-186217 | 製造システムにおけるマルチレベルRFパルス監視およびRFパルス化パラメータ最適化 | 2025年12月23日 | |
| 特開 2025-186220 | モデルトレーニングに使用可能な走査ラジカルセンサ | 2025年12月23日 | |
| 特開 2025-186273 | ビームラインイオン注入装置のための高速ビーム較正手順 | 2025年12月23日 | |
| 特開 2025-186276 | ファクトリインターフェースの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法 | 2025年12月23日 | |
| 特開 2025-186335 | 間隙充填用アモルファスカーボン | 2025年12月23日 | |
| 特開 2025-186361 | 半導体パターニングアプリケーションのための酸化スズおよび炭化スズ材料 | 2025年12月23日 | |
| 特表 2025-541560 | ダイ-ウエハ薄化のためのシリコン(Si)ドライエッチング | 2025年12月19日 | |
| 特開 2025-184887 | プラズマプロセスのイオンエネルギー分析用の装置 | 2025年12月18日 | |
| 特表 2025-541068 | 仮想基板測定による基板特性の決定 | 2025年12月18日 | |
| 特表 2025-541117 | 高周波プラズマ処理チャンバにおける学習ベースの同調 | 2025年12月18日 | |
| 特表 2025-541192 | 基板処理チャンバ用リフトアセンブリ、関連する方法及び構成要素 | 2025年12月18日 |
577 件中 1-15 件を表示
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2025-542074 2025-542150 2025-542278 2025-542504 2025-186217 2025-186220 2025-186273 2025-186276 2025-186335 2025-186361 2025-541560 2025-184887 2025-541068 2025-541117 2025-541192
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5月8日(金) - オンライン
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