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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第289位 146件 (2011年:第195位 221件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第367位 99件 (2011年:第419位 79件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
再表 2011-7678 | エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法 | 2012年12月27日 | |
特開 2012-250878 | シリコンインゴットの電磁鋳造方法 | 2012年12月20日 | |
特開 2012-250324 | スラリー循環装置、および、スラリー循環装置のフラッシング方法 | 2012年12月20日 | |
特開 2012-250866 | 半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置 | 2012年12月20日 | |
特開 2012-253216 | ボロンドープp型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法 | 2012年12月20日 | |
再表 2010-150547 | シリコンウェーハの洗浄方法、およびその洗浄方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年12月10日 | |
特開 2012-243975 | シリコンウェーハの評価方法および製造方法 | 2012年12月10日 | |
特開 2012-243851 | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 | 2012年12月10日 | |
特開 2012-238806 | エピタキシャルウェーハ成長装置用サセプタサポートシャフトおよびエピタキシャル成長装置 | 2012年12月 6日 | |
特開 2012-232353 | ワークの研磨方法及び研磨装置 | 2012年11月29日 | |
特開 2012-235072 | ウェーハ表面処理方法 | 2012年11月29日 | |
再表 2010-146853 | シリコン単結晶およびその製造方法 | 2012年11月29日 | |
特開 2012-235018 | 多結晶シリコンウェーハの評価方法 | 2012年11月29日 | |
特開 2012-235074 | バレル型気相成長装置 | 2012年11月29日 | |
特開 2012-228745 | 研磨装置、および、研磨方法 | 2012年11月22日 |
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2011-7678 2012-250878 2012-250324 2012-250866 2012-253216 2010-150547 2012-243975 2012-243851 2012-238806 2012-232353 2012-235072 2010-146853 2012-235018 2012-235074 2012-228745
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11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月29日(金) - 東京 港区
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
12月4日(水) -
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12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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12月2日(月) - 滋賀 草津市
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