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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第539位 58件
(2021年:第360位 101件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第278位 113件
(2021年:第298位 93件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2022-191609
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研磨ヘッド、研磨装置及び半導体ウェーハの製造方法 | 2022年12月28日 | |
特開 2022-189524
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ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 | 2022年12月22日 | |
特開 2022-186391
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ウェーハの外観検査装置及びウェーハの外観検査方法 | 2022年12月15日 | |
特開 2022-180695
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石英ガラスルツボ及びその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 | 2022年12月 7日 | |
特開 2022-180696
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石英ガラスルツボ及びその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 | 2022年12月 7日 | |
特開 2022-181130
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シリコンウェーハのサーマルドナー挙動予測方法及びシリコンウェーハの製造方法 | 2022年12月 7日 | |
特開 2022-178348
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熱処理炉の前処理方法、熱処理炉及びウェーハの製造方法 | 2022年12月 2日 | |
特開 2022-178817
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シリコン単結晶インゴットの評価方法、シリコンエピタキシャルウェーハの評価方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコン鏡面ウェーハの評価方法 | 2022年12月 2日 | |
特開 2022-179202
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半導体ウェーハの洗浄装置、半導体ウェーハの洗浄方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2022年12月 2日 | |
特開 2022-177529
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誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2022年12月 1日 | |
特開 2022-173730
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研磨条件決定用相関関係式の作成方法、研磨条件の決定方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2022年11月22日 | |
特開 2022-173926
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半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 | 2022年11月22日 | |
特開 2022-170011
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状態判定装置及び状態判定方法 | 2022年11月10日 | |
特開 2022-167477
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SOIウェーハの製造方法およびSOIウェーハ | 2022年11月 4日 | |
特開 2022-165087
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Ge単結晶膜の製造方法及び光デバイス | 2022年10月31日 |
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2022-191609 2022-189524 2022-186391 2022-180695 2022-180696 2022-181130 2022-178348 2022-178817 2022-179202 2022-177529 2022-173730 2022-173926 2022-170011 2022-167477 2022-165087
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3月24日(月) -
3月25日(火) - 東京 品川区
3月25日(火) -
3月26日(水) - 東京 港区
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月24日(月) -
4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
4月4日(金) -
4月1日(火) - 山口 山口市
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