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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第512位 61件 (2022年:第539位 58件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第372位 84件 (2022年:第278位 113件)
(ランキング更新日:2024年11月11日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2023-183314 | ウェーハの判定方法、判定プログラム、判定装置、ウェーハの製造方法及びウェーハ | 2023年12月27日 | |
特開 2023-181014 | シリコンウェーハのゲッタリング能力評価方法 | 2023年12月21日 | |
特開 2023-170511 | シリコン単結晶の育成方法、シリコンウェーハの製造方法、および単結晶引き上げ装置 | 2023年12月 1日 | |
特開 2023-170512 | 単結晶引き上げ装置 | 2023年12月 1日 | |
特開 2023-170513 | シリコン単結晶の育成方法、シリコンウェーハの製造方法、および単結晶引き上げ装置 | 2023年12月 1日 | |
特開 2023-170611 | 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法 | 2023年12月 1日 | |
特開 2023-167343 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルシリコンウェーハ | 2023年11月24日 | |
特開 2023-162706 | 梱包ユニットおよび輸送コンテナ | 2023年11月 9日 | |
特開 2023-160217 | 測定方法及び測定装置 | 2023年11月 2日 | |
特開 2023-158771 | 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 | 2023年10月31日 | |
特開 2023-154794 | シリコン単結晶の製造方法及び装置並びにシリコンウェーハの製造方法 | 2023年10月20日 | |
特開 2023-155164 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2023年10月20日 | |
特開 2023-135234 | シリコン単結晶の製造方法 | 2023年 9月28日 | |
特開 2023-128581 | 単結晶シリコンインゴットの製造設備及び単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2023年 9月14日 | |
特開 2023-123191 | 搬送装置、研磨装置、及び搬送方法 | 2023年 9月 5日 |
63 件中 1-15 件を表示
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2023-183314 2023-181014 2023-170511 2023-170512 2023-170513 2023-170611 2023-167343 2023-162706 2023-160217 2023-158771 2023-154794 2023-155164 2023-135234 2023-128581 2023-123191
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