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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第289位 146件
(2011年:第195位 221件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第367位 99件
(2011年:第419位 79件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5110649 | 半導体製造装置 | 2012年12月26日 | 共同出願 |
特許 5109287 | 半導体基板の製造方法 | 2012年12月26日 | |
特許 5103745 | 高周波ダイオードおよびその製造方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5104437 | 炭素ドープ単結晶製造方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5098873 | 気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 | 2012年12月12日 | |
特許 5092975 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年12月 5日 | |
特許 5092949 | ウェーハケース | 2012年12月 5日 | |
特許 5090638 | SOI基板を製造する方法 | 2012年12月 5日 | 共同出願 |
特許 5087855 | 熱処理評価用ウェーハ、熱処理評価方法、および半導体ウェーハの製造方法 | 2012年12月 5日 | |
特許 5083001 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2012年11月28日 | |
特許 5083089 | シリコン材料表層における金属不純物分析方法 | 2012年11月28日 | |
特許 5082299 | 半導体基板の製造方法 | 2012年11月28日 | |
特許 5077134 | 石英部材の洗浄方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5076326 | シリコンウェーハおよびその製造方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5070916 | シリコン単結晶およびシリコンウェーハ | 2012年11月14日 |
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5110649 5109287 5103745 5104437 5098873 5092975 5092949 5090638 5087855 5083001 5083089 5082299 5077134 5076326 5070916
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