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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第347位 110件
(2017年:第303位 145件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第310位 93件
(2017年:第394位 68件)
(ランキング更新日:2025年5月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2018-203574 | 選別装置、選別装置の製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2018年12月27日 | |
特開 2018-203587 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 | 2018年12月27日 | |
特開 2018-199592 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年12月20日 | |
特開 2018-197168 | 坩堝支持装置およびシリコン単結晶の製造方法 | 2018年12月13日 | |
特開 2018-198331 | シリコンウェーハの製造方法 | 2018年12月13日 | |
特開 2018-193270 | シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 | 2018年12月 6日 | |
特開 2018-188338 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶 | 2018年11月29日 | |
特開 2018-184317 | n型シリコン単結晶の製造方法、n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2018年11月22日 | |
特開 2018-184326 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2018年11月22日 | |
特開 2018-177560 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2018年11月15日 | |
特開 2018-177593 | 単結晶の製造方法及び装置 | 2018年11月15日 | |
特開 2018-177628 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2018年11月15日 | |
特開 2018-179822 | シリコンウェーハの金属汚染分析方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2018年11月15日 | |
特開 2018-182144 | 多層膜SOIウェーハの製造方法および多層膜SOIウェーハ | 2018年11月15日 | |
特開 2018-182145 | 多層膜SOIウェーハ及びその製造方法 | 2018年11月15日 |
110 件中 1-15 件を表示
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2018-203574 2018-203587 2018-199592 2018-197168 2018-198331 2018-193270 2018-188338 2018-184317 2018-184326 2018-177560 2018-177593 2018-177628 2018-179822 2018-182144 2018-182145
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5月23日(金) - 東京 千代田区
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