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株式会社SUMCO

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 ■ 2018年 出願公開件数ランキング    第343位 103件 (下降2017年:第304位 127件)

 ■ 2018年 特許取得件数ランキング    第310位 93件 (上昇2017年:第394位 68件)

(ランキング更新日:2026年10月16日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2018-203587 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 2018年12月27日
特開 2018-203574 選別装置、選別装置の製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 2018年12月27日
特開 2018-199592 シリコン単結晶の製造方法 2018年12月20日
特開 2018-198331 シリコンウェーハの製造方法 2018年12月13日
特開 2018-197168 坩堝支持装置およびシリコン単結晶の製造方法 2018年12月13日
特開 2018-193270 シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 2018年12月 6日
特開 2018-188338 シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶 2018年11月29日
特開 2018-184326 シリコン単結晶の引上げ方法 2018年11月22日
特開 2018-184317 n型シリコン単結晶の製造方法、n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ 2018年11月22日
特開 2018-182144 多層膜SOIウェーハの製造方法および多層膜SOIウェーハ 2018年11月15日
特開 2018-177560 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 2018年11月15日
特開 2018-177593 単結晶の製造方法及び装置 2018年11月15日
特開 2018-177628 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 2018年11月15日
特開 2018-179822 シリコンウェーハの金属汚染分析方法およびシリコンウェーハの製造方法 2018年11月15日
特開 2018-182146 多層膜SOIウェーハの製造方法および多層膜SOIウェーハ 2018年11月15日

103 件中 1-15 件を表示

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2018-203587 2018-203574 2018-199592 2018-198331 2018-197168 2018-193270 2018-188338 2018-184326 2018-184317 2018-182144 2018-177560 2018-177593 2018-177628 2018-179822 2018-182146

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