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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第356位 104件 (2019年:第321位 122件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第290位 95件 (2019年:第185位 146件)
(ランキング更新日:2024年11月11日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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再表 2019-123763 | III族窒化物半導体基板の製造方法 | 2020年12月17日 | |
特開 2020-200229 | シリコンウェーハのエッチング方法及び評価方法 | 2020年12月17日 | |
特開 2020-200236 | シリコン単結晶の製造方法 | 2020年12月17日 | |
特開 2020-197530 | 外観検査装置 | 2020年12月10日 | |
特開 2020-198444 | エピタキシャル成長用の半導体ウェーハ、および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年12月10日 | |
再表 2019-107190 | シリコン単結晶及びその製造方法並びにシリコンウェーハ | 2020年12月 3日 | |
再表 2019-167901 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2020年12月 3日 | |
特開 2020-189766 | 単結晶引き上げ装置の評価システム及び評価方法 | 2020年11月26日 | |
特開 2020-185641 | 研磨パッドの管理方法及び研磨パッドの管理システム | 2020年11月19日 | |
特開 2020-186145 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 | 2020年11月19日 | |
特開 2020-183331 | 石英ルツボ製造用モールド及びこれを用いた石英ルツボ製造装置 | 2020年11月12日 | |
特開 2020-181897 | 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2020年11月 5日 | |
特開 2020-175450 | 評価体、評価システム、評価体の製造方法、および評価方法 | 2020年10月29日 | |
特開 2020-175454 | 片面研磨装置へのウェーハ装填装置 | 2020年10月29日 | |
特開 2020-178029 | 気相成長方法及び気相成長装置 | 2020年10月29日 |
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2019-123763 2020-200229 2020-200236 2020-197530 2020-198444 2019-107190 2019-167901 2020-189766 2020-185641 2020-186145 2020-183331 2020-181897 2020-175450 2020-175454 2020-178029
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11月20日(水) -
11月20日(水) -
11月20日(水) -
11月20日(水) -
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11月21日(木) -
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11月22日(金) - 東京 港区
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