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株式会社ＳＵＭＣＯ

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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2016-225447	半導体ウェーハのエッチング装置及び半導体ウェーハのエッチング方法	2016年12月28日
特開 2016-225445	エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン	2016年12月28日
特開 2016-225444	エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン	2016年12月28日
特開 2016-213232	エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法	2016年12月15日
特開 2016-210649	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ	2016年12月15日
特開 2016-203349	ウェーハの両面研磨装置	2016年12月 8日
特開 2016-203342	ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置	2016年12月 8日
特開 2016-204179	種結晶の温度測定方法、および単結晶の製造方法	2016年12月 8日
特開 2016-204231	シリコン単結晶の製造方法	2016年12月 8日
特開 2016-207932	サセプタ及びエピタキシャル成長装置	2016年12月 8日
特開 2016-201461	半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの評価方法	2016年12月 1日
特開 2016-199420	単結晶引き上げ用種結晶保持具及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法	2016年12月 1日
特開 2016-200554	エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置	2016年12月 1日
特開 2016-201528	サセプタ、気相成長装置、気相成長方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ	2016年12月 1日
特開 2016-193818	シリコン単結晶ウェーハ	2016年11月17日

75 件中 1-15 件を表示

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2016-225447 2016-225445 2016-225444 2016-213232 2016-210649 2016-203349 2016-203342 2016-204179 2016-204231 2016-207932 2016-201461 2016-199420 2016-200554 2016-201528 2016-193818

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