特許ランキング - 出願人詳細情報 -

株式会社ＳＵＭＣＯ

※ ログインすれば出願人(株式会社ＳＵＭＣＯ)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2016年出願公開件数ランキング　　　第455位　76件（2015年：第570位　57件）

　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第525位　51件（2015年：第272位　103件）

（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2016-225444	エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン	2016年12月28日
特開 2016-225445	エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン	2016年12月28日
特開 2016-225447	半導体ウェーハのエッチング装置及び半導体ウェーハのエッチング方法	2016年12月28日
特開 2016-210649	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ	2016年12月15日
特開 2016-213232	エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法	2016年12月15日
特開 2016-203342	ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置	2016年12月 8日
特開 2016-203349	ウェーハの両面研磨装置	2016年12月 8日
特開 2016-204179	種結晶の温度測定方法、および単結晶の製造方法	2016年12月 8日
特開 2016-204231	シリコン単結晶の製造方法	2016年12月 8日
特開 2016-207932	サセプタ及びエピタキシャル成長装置	2016年12月 8日
特開 2016-199420	単結晶引き上げ用種結晶保持具及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法	2016年12月 1日
特開 2016-200554	エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置	2016年12月 1日
特開 2016-201461	半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの評価方法	2016年12月 1日
特開 2016-201528	サセプタ、気相成長装置、気相成長方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ	2016年12月 1日
特開 2016-193818	シリコン単結晶ウェーハ	2016年11月17日

76 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2016-225444 2016-225445 2016-225447 2016-210649 2016-213232 2016-203342 2016-203349 2016-204179 2016-204231 2016-207932 2016-199420 2016-200554 2016-201461 2016-201528 2016-193818

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社ＳＵＭＣＯの知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数