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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第455位 76件 (2015年:第570位 57件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第525位 51件 (2015年:第272位 103件)
(ランキング更新日:2024年9月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2016-225444 | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン | 2016年12月28日 | |
特開 2016-225445 | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン | 2016年12月28日 | |
特開 2016-225447 | 半導体ウェーハのエッチング装置及び半導体ウェーハのエッチング方法 | 2016年12月28日 | |
特開 2016-210649 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ | 2016年12月15日 | |
特開 2016-213232 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2016年12月15日 | |
特開 2016-203342 | ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置 | 2016年12月 8日 | |
特開 2016-203349 | ウェーハの両面研磨装置 | 2016年12月 8日 | |
特開 2016-204179 | 種結晶の温度測定方法、および単結晶の製造方法 | 2016年12月 8日 | |
特開 2016-204231 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年12月 8日 | |
特開 2016-207932 | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 | 2016年12月 8日 | |
特開 2016-199420 | 単結晶引き上げ用種結晶保持具及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2016年12月 1日 | |
特開 2016-200554 | エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置 | 2016年12月 1日 | |
特開 2016-201461 | 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの評価方法 | 2016年12月 1日 | |
特開 2016-201528 | サセプタ、気相成長装置、気相成長方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2016年12月 1日 | |
特開 2016-193818 | シリコン単結晶ウェーハ | 2016年11月17日 |
76 件中 1-15 件を表示
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2016-225444 2016-225445 2016-225447 2016-210649 2016-213232 2016-203342 2016-203349 2016-204179 2016-204231 2016-207932 2016-199420 2016-200554 2016-201461 2016-201528 2016-193818
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9月25日(水) -
最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
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9月25日(水) -
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9月25日(水) - 東京 千代田区
9月25日(水) - 東京 千代田区
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10月1日(火) - 東京 港区
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