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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件 (2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件 (2010年:第455位 62件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-258850 | ボイドの検出方法および装置 | 2011年12月22日 | |
特開 2011-253978 | エピタキシャル基板およびその製造方法 | 2011年12月15日 | |
特開 2011-253841 | ウェーハ保持具 | 2011年12月15日 | |
特開 2011-253896 | キャリアプレート、複数のキャリアプレート、ウェーハの研磨装置、ウェーハの研磨方法 | 2011年12月15日 | |
特開 2011-251270 | シリコンスラッジの洗浄方法 | 2011年12月15日 | |
特開 2011-249479 | 単結晶シリコンウェーハの評価方法 | 2011年12月 8日 | |
特開 2011-246341 | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 | 2011年12月 8日 | |
特開 2011-243914 | スライス台のリサイクル方法及びスライス台 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243923 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243925 | シリコンウェーハ評価方法およびそれを用いたシリコンウェーハ製造方法 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243899 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243784 | ボロンドープp型シリコンウェーハの鉄濃度測定方法および測定装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243783 | 半導体ウェーハ評価方法、半導体ウェーハ評価用標準試料およびその作製方法 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-237303 | ウェーハ欠陥検査装置及びウェーハ欠陥検査方法 | 2011年11月24日 | |
特開 2011-235371 | ドレッシング装置および方法、並びにバンドソー切断機 | 2011年11月24日 |
221 件中 1-15 件を表示
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2011-258850 2011-253978 2011-253841 2011-253896 2011-251270 2011-249479 2011-246341 2011-243914 2011-243923 2011-243925 2011-243899 2011-243784 2011-243783 2011-237303 2011-235371
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11月22日(金) -
11月22日(金) -
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11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
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11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -